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使用传统的矽半导体器件制造技术，即可在晶圆上形成SiGe。在CMOS制程方面，SiGe制程的成本和矽制程相当，但在异质接面技术方面，SiGe制程的成本比砷化镓制程还要低。近来，使用有机金属气相磊晶 （MOVPE）沉积高纯度的含Ge薄膜、SiGe和应变矽时，会使用只有少量危害的液体来当做替代物，像有机锗化合物前体（如：异丁基锗烷、三氯锗烷、二甲氨基三氯锗烷）。
拥有SiGe制作服务的共有以下几家公司：国际商务机器（IBM）、意法半导体（STMicroelectronics）、台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）、飞思卡尔（Freescale，原本的摩托罗拉半导体部门）、索尼（Sony）、Atmel、Chartered Semiconductor Manufacturing、Micrel、英飞凌（Infineon）、德州仪器（TI）、IHP、Jazz Semiconductor，原本的胜讯（Conexant）。超微半导体（AMD）有意加入IBM的SiGe应变矽技术开发计划，让技术迈入65nm级规模。
2015年七月，IBM公司宣布通过SiGe工艺制成了7 nanometer级晶体管，有望使晶体管的产量上升三倍。
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曾任Department for Business, Innovation and Skills小企业、产业和企业副大臣，列席内阁会议。亦曾在国防部、卫生部任职。《独立报》编辑西蒙·卡尔称赞她“有非凡的即兴演讲天赋。”
苏布里出生在林肯郡林肯医院，那也是她母亲Frances Soubry（娘家姓 Coward）工作的地方，而她的父亲戴维·苏布里是诺丁汉郡一车库业主。成长于诺丁汉郡Dunham-on-Trent, Nottinghamshire村和Clumber Park。1968到1975年她就读于亨利·哈特兰文法学校，1970年后该校改为综合性中学。1979年她毕业于伯明翰大学法律专业。
20世纪70年代，苏布里涉足学生政治，成为全国学生联合会执行委员会中唯一的保守党党员。
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乐平公主，为南北朝北魏太武帝拓跋焘的孙女，景穆太子拓跋晃的女儿。
乐平公主嫁给了柔然可汗的儿子，但史料没有记载是哪一位柔然可汗与他儿子的名字。拓跋晃在世时的柔然可汗是敕连可汗吴提和处可汗吐贺真。乐平公主的儿子闾世颖。闾世颖之女闾氏，嫁给了平阳县子元显恭，元显恭是拓跋晃曾孙，城阳康王拓跋长寿之孙，城阳怀王元鸾之子。乐平公主的孙女，嫁给了她的内侄孙。
* 闾世颖，封安固伯，柔然可汗之孙，元显恭的岳父。
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