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太阳高能粒子是来自太阳的高能量粒子，在1940年代初期就已经被观测到。他们包含质子、电子和能量在数十KeV至GeV的重离子（速度最快的粒子可以达到光速的80%）。人们对它们特别重视和感兴趣，因为他们会危及在外太空的生命（特别是40MeV的粒子）。太阳高能粒子（SEPs）可以经由两种过程产生：从耀斑场所获得能量或是与日冕物质抛射（CMEs）结合的冲激波。但是，只有大约1%的CMEs能够产生强大的SEP事件。

两种主要的机制提供加速度的可能：扩散冲击加速度（DSA，有时称为第一阶费米加速）或冲激漂移机制。SEPs可以在5至10个太阳半径（地日距离的0.5%）的距离内被加速至数十MeV的高能量，并且在闪焰或物质抛射之后短短的数小时内就抵达地球。这使得预测和对SEP事件的警报很具有挑战性。SEP事件的组成和种子的分布也是一个活跃的研究领域。

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靶形成负电极，基板形成带正电电极。通过使用（例如，作为稀有气体的原子碰撞电离氩气）形成在一个气体空间的等离子体（氩低压等离子体），带负电荷的电子和带正电荷气体离子诸如Ar的组件，或通过在基片的方向上施加的直流电压目标。它在目标上遇到永久的正离子流; 因此名称叫直流溅射，直流或直流溅射。在与目标颗粒撞击时，通过动量传递从目标喷射粒子，该动量传递在基板方向上远离目标移动并在那里作为薄层沉积（沉积）。

该方法的主要缺点是它只能用于导电靶材料。对于电绝缘材料，将通过目标和基板的新电荷载体的恒定供应来充电，因此补偿直流电压场并阻碍溅射过程，因为随后的离子将被电击穿。另外，可实现的溅射速率以及因此涂覆速率相对较低，因为在所使用的低压等离子体中仅形成少量溅射气体离子。

上述双电极变体也称为直流二极管溅射。另外，还存在诸如直流三极管溅射的其他形式，其中靶被布置为等离子体室外部的第三电极。以这种方式，等离子体产生和溅射过程可以解开耦合。

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