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布热季斯拉夫三世（Jindřich Břetislav，6月15日或19日），又名英德日赫·布热季斯拉夫三世，普热米斯尔王朝的波希米亚公爵（1193年－1197年）。波希米亚公爵弗拉迪斯拉夫一世之子亨利之子、奥托卡一世的堂兄弟。

布热季斯拉夫在巴黎大学以优越的成绩完成学业后，他被任命为在布拉格附近的高堡教务长。1182年，他接受了他的表弟萨尔茨堡大主教阿德尔伯特三世手上的执事职位。同年，他被选为布拉格大主教，布热季斯拉夫前往美因茨去取得神圣罗马帝国的确认。他于5月22日受戒为牧师，并于第二天加冕为主教。在随后的王位争夺中，他支持前国王弗拉迪斯拉夫一世之子奥托卡一世。布热季斯拉夫无法支付为奥托卡一世和奥托卡一世的弟弟摩拉维亚藩侯弗拉迪斯拉夫需要给皇帝亨利六世的6000埃居必要进贡。当布热季斯拉夫去圣地亚哥-德孔波斯特拉朝圣时，他被皇帝抓获至他的皇庭成为俘虏。

1192年，奥托卡一世篡夺温塞斯拉斯二世的爵位。温塞斯拉斯二世试图请求国王帮助，但被抓获。然而，亨利六世不会对波希米亚事务置之不理。1193年6月，他在沃尔姆斯会议上废黜奥托卡一世。奥托卡一世被贵族遗弃，亨利六世豁免了布热季斯拉夫的付款，并任命他为波希米亚公爵。

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1889年（明治22年）公布、于次年（1890年）生效的《大日本帝国宪法》第4条规定：「天皇，为国之元首，总揽统治权，依本宪法条规行之。」（天皇ハ国ノ元首ニシテ统治権ヲ総揽シ此ノ宪法ノ条规ニ依リテ之ヲ行フ）针对该条文的解释或宪法的解释运用上，分为两大学派，一是重视天皇主权的穂积八束和上杉慎吉等君权神授学派；二是重视以议会制为中心的宪政、主张天皇机关说的美浓部达吉，及佐々木惣一等宪政主义学派。

在明治宪法生效之初，主张超然主义的藩阀政治家和官僚采用了以天皇主权为中心的君权学派解释，即天皇主体说。此后，上杉和美浓部就天皇机关说展开了争论。1913年，机关说获得了胜利，被运用到宪法解释之中。

不过，1935年发生的天皇机関说事件中，美浓部等宪政主义学者遭到排斥。同年，政府发表国体明徴声明，采用天皇主权说。政府的官方见解排除了天皇机关说，而主导此事的右翼势力和军人的力量也随之扩大。

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20世纪70年代，多层金属化技术被引入到集成电路制造工艺中，此技术使芯片的垂直空间得到有效的利用，并提高了器件的集成度。但这项技术使得硅片表面不平整度加剧，由此引发的一系列问题（如引起光刻胶厚度不均进而导致光刻受限）严重影响了大规模集成电路（LSI）的发展。针对这一问题，业界先后开发了多种平坦化技术，主要有反刻、玻璃回流、旋涂膜层等，但效果并不理想。80年代末，IBM公司将CMP技术进行了发展使之应用于硅片的平坦化，其在表面平坦化上的效果较传统的平坦化技术有了极大的改善，从而使之成为了大规模集成电路制造中有关键地位的平坦化技术。

化学机械平坦化是表面全局平坦化技术中的一种，既可以认为是化学增强型机械抛光也可以认为是机械增强型湿法化学刻蚀。该工艺使用具有研磨性和腐蚀性的磨料，并配合使用抛光垫和支撑环。抛光垫的尺寸通常比硅片要大。抛光垫和硅片被一个可活动的抛光头压在一起，而塑料的支撑环则用于保持硅片的位置。硅片和抛光垫同时转动（通常是以相反的方向转），但是它们的中心并不重合。在这个过程中硅片表面的材料和不规则结构都被除去，从而达到平坦化的目的。平面化后的硅片表面使得干式刻蚀中的图样的成型更加容易。平滑的硅片表面还使得使用更小的金属图样成为可能，从而能够提高集成度。

化学机械平坦化是在机械抛光的基础上根据所要抛光的表面加入相应的化学添加剂从而达到增强抛光和选择性抛光的效果。

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