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卫理公会直落亚逸礼拜堂（Telok Ayer Chinese Methodist Church）是新加坡的一座卫理公会教堂，主堂建于1924年，位于市中心牛车水的直落亚逸街，直落布兰雅分堂建于2004年。
1889年，卫理公会传教士卫斯德医生(Dr. Benjamin West) 抵达新加坡，住在日本街(今文达街)。这一带的华人多属闽南民系，因此最早的信徒多为闽南人。后来，信徒更多来自兴化民系、福清和福州民系移民。
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中国国家女子冰壶队是代表中华人民共和国出战国际赛场的女子冰壶队，成立于2003年。曾于2009年获得女子冰壶世锦赛冠军，在2010年温哥华冬奥会上摘得铜牌。
中国国家女子冰壶队于2003年成立，当时的主力队员为周妍，岳清爽，柳荫和王冰玉，队长为四垒王冰玉。2007年，中国队聘请了加拿大籍外教丹尼尔·拉斐尔，之后该队成绩有所提高。在2008年世界女子冰壶锦标赛上，中国队第一次参赛便获得亚军，一年后该队又斩获世锦赛冠军，成为第一支获得冰壶世锦赛冠军的亚洲队伍，在2010年冬季奥运会上，该队获得季军，又成为第一支获得奥运冰壶奖牌的亚洲队伍。
冬奥获得铜牌后，该队实力有所下降，在2012年和2013年世锦赛上表现不佳，而2014年索契冬奥会则名列第七。之后，由于阵容新老交替，实力有所下降，该队在2015年泛太平洋冰壶锦标赛上仅获得第三名，未能获得2016年世锦赛资格，2017年，该队在世锦赛上仅获第11名，没能直接获得2018年平昌冬奥会的资格。尽管如此，该队依然凭借着在同年12月举行的奥运资格赛第一名的成绩获得奥运资格。
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在金属中由于有大量电子移动抵消外加电场，外加的电场能使金属表层的电荷分布发生改变。然而，在半导体中，正负电荷的密度较低，无法完全抵消外加电场，所以外加电场会在半导体材料表面附近改变材料的导电性，这被称为“场效应”。场效应应用于肖特基二极管，场效应晶体管（主要指的是MOSFET，JFET和MESFET）。
在外加电场的作用下，接近半导体表面一定深度下的电子能级发生改变，这导致了材料表面的导电性发生改变，也使得材料表面区域的电子能占有的能级发生变化。这种效应具有代表性的表征方式是“能带弯曲图”。能带弯曲图表征了材料表面的能带边界Ef, Ec, Ev与进入材料深度x之间的关系。
如右图所示一个典型的能带弯曲图。为了简化，能带中的能量单位是eV，电压的单位是V，避免了引入参数q作为单位电荷。右图中显示的是一个双层结构，左边是绝缘体层，右边是半导体层。一个使用类似结构的例子是MOS电容，一个双端的结构，一边是金属栅极端，一边是半导体材料（比如硅）端，中间夹着一层绝缘层（比如氧化硅）。右图中，左边的子图显示出了导带的最低能级（Conduction Edge）和价带的最高能级（Valence Edge）。这些能带在外加电压V的作用下发生弯曲。依照习惯，图中显示的是电子的拥有能量，所以一个正电压作用于半导体材料会使材料表面的能带向下弯曲。虚线表示的是能级占有情况费米能级Ef：低于Ef倾向于被电子占领，导带在外加电压作用下向下弯曲更加接近Ef，表明在接近绝缘层的地方导带中存在更多的电子。
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