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硫花（sulflower，sulfur（硫）和sunflower（向日葵）的混成词）是一种基于噻吩环系的稳定杂环8圈烯，不含氢。硫花的分子式为(C2S)8，可以视作一种硫的碳化物。它是平的，与9元的同系物（homolog）同处张力能（strain energy）的局部极小值。
合成硫花（使用Ferrario反应的变体）时，首先将环四联噻吩在二异丙基氨基锂作用下去质子，然后用硫磺硫化噻吩上未取代的碳原子，最后用真空裂解（vacuum pyrolysis）。
硫花分子是平面结构，有D8h对称，也就是说，分子的八个硫原子和两面不可区分。由于它是平面结构，它或可在重叠空间里储存许多氢。经计算，H2分子的构象“直立”在五个环上。科学家已经对这些分子做了详细的DFT计算。
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不同的薄膜生长模式取决于薄膜和衬底材料表面的化学与物理性质，例如表面张力和晶格系数，可通过考虑距离表面最近的几层原子的化学势来确定生长机制。1995年，伊万·马尔可夫提出原子层内单原子的化学势模型：
其中 表示吸附材料的体化学势（bulk chemical potential）， 表示浸润层吸附原子的脱附能（desorption energy）， 表示衬底吸附原子的脱附能， 表示每个原子的位错错配能（misfit dislocation energy）， 表示每个原子的同质应变能（homogeneous strain energy）。在一般情况下，、、 和 的值与薄膜的厚度，以及衬底和薄膜之间的位错有着极为复杂的关系。在应变很小的情况下（即 ），薄膜的生长模式取决于 的值：
* 岛状生长模式： （表层原子的凝聚力强于衬底表面的黏附力）
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