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此校由于收生不足于2006年被勒令杀校，该校全部未毕业学生转去同区的东华三院黄士心小学继续就读。该校原址于2007年改建成国民教育服务中心，及后再于2012-2018年间改为另一亲中组织-香港升旗队总会的会址。
其后，由于公屋需求上升，房委会于2018年决定在长青邨内加建5座住宅楼宇连社区设施。当中，卫理信小学旧址亦被列入重建范围，于2018年拆卸，现正重建为同邨的青荷楼。
* 司徒晖（2001年小六）：前香港男演员
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金斯陨击坑（Jeans）是火星南海区的一座撞击坑，其中心坐标位于南纬69.8度、西经205.9度处，直径73.6公里，该特征名取自英国物理学家、天文学家、数学家詹姆士·金斯（1877年－1946年），1973年被国际天文联合会行星系统命名工作组批准接受。
下面的图片显示了霜冻正在消失的暗黑区域，露出了下方深色的地面，也可看到多层的地层-可能来自多轮周期中沉积的覆盖层。
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复合半导体接触的形成可以理解比硅接触更为复杂。比如说，砷化镓（GaAs）表面倾向于丢失砷而且这种砷丢失的趋势可以通过沉积金属而被可观的放大。另外，砷的易挥发性限制了沉积后退火时砷化镓器件的承受度。砷化镓及其他复合半导体的一种解决办法是沉积低禁带合金接触层与高掺杂层相对。例如，砷化镓自己比砷化铝镓（AlGaAs）有更小的禁带带宽 所以一层靠近它表面的砷化镓层能促进欧姆行为。总之相比之下，III-V和II-VI半导体欧姆接触技术比硅欧姆接触技术发展较缓。
透明或半透明接触对于主动矩阵液晶显示器LCD、光电器件诸如激光二极管（LD）、发光二极管（LED）及光电管是必要的。最流行的选择是氧化铟锡（ITO），一种通过在氧气环境下溅射铟-锡（In-Sn）靶形成的金属。
接触电阻相关联的RC时间常数会限制器件的频率响应。引线电阻的充电与放电高时钟速率的数字电子设备能量耗散的主要原因。接触电阻在非常见半导体制成的低频和模拟电路中通过焦耳热的形式导致能量耗散（比如太阳能电池）。金属接触制备方法的建立是任何新兴半导体科技发展的重要部分。金属接触的电迁移与分离成层也是电子器件寿命的限制因素之一。
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