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更新于 2026-10-07

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奉恩将军,是中国清朝时的爵名。为宗室封爵的第十级,在奉国将军之下,为最末等一级。

奉恩将军品秩相当于武职正四品,顺治六年(1649年),设立奉恩将军,位居九爵之末奉国将军之后,顺治十年(1653年),奉恩将军子孙世袭此爵。乾隆十三年(1748年),列爵十四等。乾隆二十六年(1761年),因为之前的制度,以其嫡妻所生之子二十岁即封奉恩将军,过于优厚;改为赏给五品虚衔,待袭爵。奉恩将军的正妻,封为恭人。爵有出缺,以恭人所生之子承袭,如果没有嫡子,也可以由庶子袭爵。奉恩将军其余的儿子,全部为闲散宗室。

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使用直拉法工艺制备单晶硅时,常用石英(主要成分为二氧化硅)坩埚作为器皿。这样做的一个不可避免的结果,就是器皿本身因为高温加热,将发生热分解,导致熔融状态硅中混入氧,其浓度的典型数量级为1018cm-3。氧杂质将带来一些好处。严格的退火工艺可以使氧沉淀下来。这些氧可以俘获半导体材料中不必要的过渡金属。除此之外,氧杂质还能够改善硅晶圆的机械强度,因为它能够固定制备流程中被引入的位错。1990年代,高浓度氧被发现能够在硅材料粒子探测器(例如欧洲核子研究组织中的大型强子对撞机项目)中用于辐射加固。因此,用这样的硅制成的辐射探测器,是将来进行高能粒子实验的理想设备。在后期的退火过程中,硅中的氧杂质也能俘获其他不必要的杂质。

然而,氧杂质能够在光照环境中与硼发生反应,这与太阳能电池的情况类似。这将形成电活跃的硼-氧络合物。

通过考虑偏析系数,可以获得固态晶体中的杂质浓度。

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2008年9月30日特里斯坦到伦敦参与韦斯咸的试练,由于正选前锋艾殊顿需要长期养伤,西汉姆联队前线缺乏有级数的数糊人物,于10月14日正式签入特里斯坦,成为佐拉上任领队后首名加盟的球员。12月8日主场对热刺下半场末段首次替补上阵;12月28日主场对史笃城,再次后备入替的特里斯坦在完场前将卡顿·高尔的射球改变方向入网,为球队锁定2-1胜局。在卡尔顿·科尔因伤缺阵期间,特里斯坦获得较多正选出场机会,于4月18日作客对阿士东维拉在完场前5分钟,机警地将戴亚原本射斜的远射头顶修正入网,为球队扳平1-1。季后卓斯坦成为6名被放弃的球员之一。

2009年7月24日特里斯坦加盟刚升班西乙的加的斯。

卓斯坦于2001年6月2日首度披上西班牙国家队球衣出战波黑国家队,结果4-1获胜,卓斯坦在完场前射入球队的第四球。

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