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复合半导体接触的形成可以理解比硅接触更为复杂。比如说,砷化镓(GaAs)表面倾向于丢失砷而且这种砷丢失的趋势可以通过沉积金属而被可观的放大。另外,砷的易挥发性限制了沉积后退火时砷化镓器件的承受度。砷化镓及其他复合半导体的一种解决办法是沉积低禁带合金接触层与高掺杂层相对。例如,砷化镓自己比砷化铝镓(AlGaAs)有更小的禁带带宽 所以一层靠近它表面的砷化镓层能促进欧姆行为。总之相比之下,III-V和II-VI半导体欧姆接触技术比硅欧姆接触技术发展较缓。
透明或半透明接触对于主动矩阵液晶显示器LCD、光电器件诸如激光二极管(LD)、发光二极管(LED)及光电管是必要的。最流行的选择是氧化铟锡(ITO),一种通过在氧气环境下溅射铟-锡(In-Sn)靶形成的金属。
接触电阻相关联的RC时间常数会限制器件的频率响应。引线电阻的充电与放电高时钟速率的数字电子设备能量耗散的主要原因。接触电阻在非常见半导体制成的低频和模拟电路中通过焦耳热的形式导致能量耗散(比如太阳能电池)。金属接触制备方法的建立是任何新兴半导体科技发展的重要部分。金属接触的电迁移与分离成层也是电子器件寿命的限制因素之一。
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早年为经略使、右威卫将军。依附宗楚客。景龙二年(708年),西突厥首领乌质勒之子娑葛与其父的部将阿史那阙啜忠节不和,双方时有冲突,阙啜忠节由于兵少,渐不能支。安西都护郭元振请朝廷命忠节入朝宿卫,移其部落于瓜、沙等州安置。阙啜率部落行至播仙镇(今罗布泊南)时,遇到周以悌,周以悌劝他不要入朝,贿赂宰相宗楚客、纪处讷,联合安西军与吐蕃军共击娑葛,既德报仇,又可以保存部落首领职权,胜于入朝受制于人。阙啜忠节听从周以悌的建议,遣使厚贿宗楚客、纪处讷,请求唐廷出兵攻打娑葛。郭元振上书请斩宗楚客,楚客诬元振隐蓄异志,唐中宗下诏,召回郭元振,下令周以悌接替郭元振任安西都护,并且任命阿史那献为十姓可汗。郭元振不敢行,以其子郭鸿携带奏折从小路赴京申述。周以悌被流放至白州(治今广西博白)。郭元振复任安西都护。
延和元年(712年)六月,幽州都督孙俭率左骁卫将军李楷洛、左威卫将军周以悌等,发兵二万余人,分为三军以袭击奚部及契丹(辽河上游)联军,史称冷陉之战(又名冷硎)。在冷陉被奚族首领李大酺(李大辅)打败,幽州都督孙俭和周以悌被奚部落生擒,被俘送到突厥默啜可汗,被杀。
父金部郎中周行謩,赠坊、成二州刺史、卫尉卿。其子周佖,唐肃宗至德元年任河西节度使、开府仪同三司、鸿胪卿兼御史大夫、上柱国、真阳县开国男,至德二年正月十七日,武威郡九姓商胡安门物等人发动叛乱,节度使周佖被杀,赠凉州都督。
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王图,字则之,号明石、衷白,谥文肃,陕西西安府耀州(今陕西省铜川市耀州区)人,军籍,明朝政治人物。同进士出身。万历丙戌进士,天启年间官至礼部尚书。
万历四年(1576年)中式丙子科陕西乡试第一名举人(解元)。万历十一年(1583年)登丙戌科会试五十九名,廷试三甲四十六名进士,吏部观政,改翰林院庶吉士,授翰林院检讨,以右中允掌南京翰林院事。后召充东宫讲官。累迁詹事,充日讲官,教习庶吉士。进吏部右侍郎,掌翰林院。天启三年(1623年),晋升礼部尚书,协理詹事府。次年被阉党弹劾削籍。崇祯初年,赠太子太保,谥文肃。
曾祖父王永宁,曾任阴阳官;祖父王宗仁,曾任寿官;父王邦宪,曾任山东莱州府通判。前母雷氏(赠孺人);母左氏(赠孺人);恩母党氏(封孺人)。重庆下。兄王国(翰林院庶吉士、南直隶提学御史、文林郎)、王圜(己卯举人)。弟王围、王萃(廪生)、王海实。有子王毓玄、王淑抃。
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