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使用传统的矽半导体器件制造技术,即可在晶圆上形成SiGe。在CMOS制程方面,SiGe制程的成本和矽制程相当,但在异质接面技术方面,SiGe制程的成本比砷化镓制程还要低。近来,使用有机金属气相磊晶 (MOVPE)沉积高纯度的含Ge薄膜、SiGe和应变矽时,会使用只有少量危害的液体来当做替代物,像有机锗化合物前体(如:异丁基锗烷、三氯锗烷、二甲氨基三氯锗烷)。
拥有SiGe制作服务的共有以下几家公司:国际商务机器(IBM)、意法半导体(STMicroelectronics)、台湾积体电路制造股份有限公司(TSMC)、飞思卡尔(Freescale,原本的摩托罗拉半导体部门)、索尼(Sony)、Atmel、Chartered Semiconductor Manufacturing、Micrel、英飞凌(Infineon)、德州仪器(TI)、IHP、Jazz Semiconductor,原本的胜讯(Conexant)。超微半导体(AMD)有意加入IBM的SiGe应变矽技术开发计划,让技术迈入65nm级规模。
2015年七月,IBM公司宣布通过SiGe工艺制成了7 nanometer级晶体管,有望使晶体管的产量上升三倍。
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2013年夏天,旗下景福证券有限公司(1971年成立),因为业务持续亏蚀,故此在7月31日底结束营业。
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