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2008年，拉娜·比约·因戈尔夫斯多蒂尔代表冰岛出战北京奥运会羽毛球女子单打比赛，首圈对战日本的广濑荣理子时因伤弃权。
2012年，拉娜·比约·因戈尔夫斯多蒂尔代表冰岛出战英国伦敦举行的奥林匹克运动会羽毛球比赛女子单打项目，在小组赛阶段先以2比0战胜立陶宛的厄维尔·斯塔普赛蒂特，后以0比2负于荷兰的姚洁，最终以一胜一负的小组次名成绩出局。
因戈尔夫斯多蒂尔为冰岛国内首屈一指的羽毛球运动员，曾在全国赛中赢得八次女单、九次女双及一次混双冠军，其中她在2007年度的全国赛中，横扫了女单、女双和混双三项冠军，一时无两。
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为了提高半导体工业的生产效率，常常按一定标准规格来生产晶圆。早期的晶棒较小，直径通常只有几英寸。随着技术的进步，高端的制造一起开始使用200毫米甚至300毫米直径的晶圆。要准确地制造这样尺寸的晶圆，必须严格控制工作温度、旋转速度以及晶种棒的提拉速度。用于切割成晶圆的晶锭长达2米，重达几百千克。更大的晶圆可以进一步提升制造效率，这是因为利用单个晶圆能够制造出更多的芯片。这也是人们不断尝试增大硅晶圆尺寸的原因。现在，半导体工业界正在挑战450毫米级别的晶圆，计划在2012年投产。硅晶圆的典型厚度在0.2至0.75毫米之间，通过抛光技术可以使表面更加平滑，这样更适合制造积体电路。此外，通过刻出特定的纹路，晶圆还可以用来制造太阳能电池。
在柴氏法中，工作腔（坩埚）被加热到大约1500摄氏度，这将使硅（熔点：1414摄氏度）熔化。当硅完全熔化时，末端装有晶种的棒被缓慢地下放到熔融状态的硅中。棒以逆时针方向旋转，坩埚以顺时针方向旋转。随后，旋转的棒被极慢地向上提升，这样，近似圆柱体状的硅晶棒就能在下方形成。通过继续提拉，晶棒的长度可以达到1至2米，这取决于坩埚中熔融状态硅的数量。
在硅熔化前，可以向坩埚中添加硼、磷等材料，这样，拉制出的硅棒就具有与纯硅不同的电学性质。上述添加的材料被称为“杂质”，对应工艺过程被称为“掺杂”，得到的材料被称为“杂质半导体”。如果半导体材料不是硅，而是其他化合物（如砷化镓），同样可以使用直拉法来制备单晶材料。
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该堂在1146年首次见诸记载，15世纪进行了重建。1610年，该堂分配给耶稣会，他们进行了广泛的整修。在1675年至1678年之间，建造了钟楼、穹顶和入口。
在立面的正门上方是一个大理石浮雕，上面描绘的是“圣乔治屠龙”。内部为拉丁十字平面。该堂的侧祭坛曾经有许多画作，现已不存。
佩尔尼切利小堂于2009年修复，亚历山德罗·蒂亚里尼的祭坛画描绘圣伊纳爵和圣方济各沙勿略敬礼 Ghiara吉阿拉圣母 (1640年)
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