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更新于 2026-10-06

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发球是网球比赛中一分的开始。发球者用球拍击球,如果球从球网上方飞过并落入对角的发球区,则发球成功。如果球擦网,过去的规则是此次发球作废,重新发球,但2013年国际网联修改了规定,擦网不再影响发球是否成功,以球擦网后的落点判断。如果球下网或落到对角发球区外,则发球失误。

发球的方式可以有很多种,但现在职业球员一般采用威力最大的上手发球:将球抛过头顶,在球刚下落时击球。这样,职业球员可打出时速200千米以上的发球。初学者可采用下手发球:将球在腰部的高度释放后击球,这样球速很慢,不能抢占先机。

发球对新手十分困难。但强大的发球能在比赛中占据很大优势。优秀的球员能控制球的落点和旋转,发出平击球、侧旋球和上旋球,使对手难以预测。最好的发球使对手完全碰不到球,直接得分,称为Ace球。同时网球发球有两次机会,所以发球方在自己的发球局占据很大优势,比赛中,职业球员需要尽量赢得自己所有的发球局,并伺机破掉对手的发球局,以赢得比赛。

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纯半导体的晶体(例如矽或锗)在室温下非常缺乏传导载子,因为一个电子的能量十分地大于一个电子在如此的一块晶体所能获得的热能量是为了占据传导能量阶层。对半导体加热可以激发电子进入传导状态,但更有实用价值的是借由掺入杂质进去晶体以增加导电度,一块晶体可能掺杂少量的元素有比半导体更多的电子,这些过量电子将自由的在晶体内移动穿梭,这样的一块晶体是一种N型半导体。一种是可能掺杂少量的元素到晶体内有比半导体更少的电子并且电子空缺,或电洞,将自由移动穿梭于晶体就像是带正电荷的电子,这样一块已掺杂的晶体是一种P型半导体。

在半导体的表面,传导带的能量可以被改变,将增加或减少晶体的导电度。金属与N型或P型半导体之间的接合面或两种类型的半导体之间有不对称的导电性质,并且半导体接合面可以因此被用于改变电流。在一个整流器,在低电阻方向施加电压偏压产生电流是一种顺向偏压,当偏压于相对方向是一种反向偏压。

在第二次世界大战末期半导体整流器是已熟悉的装置,肖克利希望制造一个新装置能够有可变的电阻并因此能当做放大器,他提议一个设计一个电场施加跨越半导体薄板的厚度,半导体的传导性变化只借由预期数量的小部分当电场被供应,约翰巴丁建议是由于电子在半导体表面能量状态的存在。

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应历十九年二月廿二日(969年3月12日),辽穆宗被侍人所弑,享年三十九岁,死后辽景宗继位。

* 元朝官修正史《辽史》脱脱等的评价是:“穆宗在位十八年,知女巫妖妄见诛,谕臣下滥刑切谏,非不明也。而荒耽于酒,畋猎无厌。侦鹅失期,加炮烙铁梳之刑;获鸭甚欢,除鹰坊刺面之令。赏罚无章,朝政不视,而嗜杀不已。变起肘腋,宜哉!”

辽穆宗曾听信女巫肖古的建议,以人胆入药。

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