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在金属中由于有大量电子移动抵消外加电场，外加的电场能使金属表层的电荷分布发生改变。然而，在半导体中，正负电荷的密度较低，无法完全抵消外加电场，所以外加电场会在半导体材料表面附近改变材料的导电性，这被称为“场效应”。场效应应用于肖特基二极管，场效应晶体管（主要指的是MOSFET，JFET和MESFET）。
在外加电场的作用下，接近半导体表面一定深度下的电子能级发生改变，这导致了材料表面的导电性发生改变，也使得材料表面区域的电子能占有的能级发生变化。这种效应具有代表性的表征方式是“能带弯曲图”。能带弯曲图表征了材料表面的能带边界Ef, Ec, Ev与进入材料深度x之间的关系。
如右图所示一个典型的能带弯曲图。为了简化，能带中的能量单位是eV，电压的单位是V，避免了引入参数q作为单位电荷。右图中显示的是一个双层结构，左边是绝缘体层，右边是半导体层。一个使用类似结构的例子是MOS电容，一个双端的结构，一边是金属栅极端，一边是半导体材料（比如硅）端，中间夹着一层绝缘层（比如氧化硅）。右图中，左边的子图显示出了导带的最低能级（Conduction Edge）和价带的最高能级（Valence Edge）。这些能带在外加电压V的作用下发生弯曲。依照习惯，图中显示的是电子的拥有能量，所以一个正电压作用于半导体材料会使材料表面的能带向下弯曲。虚线表示的是能级占有情况费米能级Ef：低于Ef倾向于被电子占领，导带在外加电压作用下向下弯曲更加接近Ef，表明在接近绝缘层的地方导带中存在更多的电子。
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根据满洲国军刊行委员会（兰星会）所编《满洲国军》，蒙古士兵具有如下的强项：能够在缺乏地标的广阔草原上辨认方向、夜间到达目的地，战斗勇猛，马术娴熟，可以不执缰绳进行射击，可以长时间骑行。180
1932年9月，苏炳文在呼伦贝尔地方发起叛乱。满洲国军协助关东军进行讨伐作战，本间诚顾问率领兴安南警备军参战115。1933年的热河作战中，兴安南警备军司令官巴特玛拉布坦率2个团的兵力进军林西、林东方面，支援关东军。1935年起，兴安北警备军参与了哈尔哈庙战斗等3次与蒙古国之间的军事冲突。
1937年7月，中日战争爆发，中方军队越过热河省的长城边界后，满洲国军有部分部队也奉命出战，其中包括兴安南警备军。兴安南警备军推进至察哈尔省，此后接受日军指挥。在山西省阳高战斗之后，兴安南警备军的加藤连在9月13日作为先锋占领大同，此后转战山西各处，于10月回师。1938年，共产党的部队进犯热河省境，7月3日，甘珠尔扎布少将担任支队长，率兴安骑兵第5团、第2团约1000人出战，转战冀东各地，至12月历战45场，击溃高翔云部约5000人。107,108
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唐王桥特指位于河南省淅川县九重镇和邓州市九龙乡半店街交界处的西刁河上的普济桥，统指包括普济桥在内以及邓州市境内文渠乡的得子桥、穰东镇的九龙桥和白牛乡的阜民桥。
据《明嘉靖南阳府志》载，明太祖在洪武24年封第23子朱𣐕为唐定王。嘉靖42年，唐顺王朱宙栐西去淅川香严寺拜佛，由于道路艰险，便在沿途建筑石桥，一共建了4座桥，每座桥上都有皇帝专用的龙头石雕，是现存比较完整的明代帝王御用石桥，所以被称为唐王桥。
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