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生年没有记载，因认为莫丽芳与他的母亲莫嫔是同一人，莫丽芳于618年十一月因产病去世，故他大约在此前出生。620年（武德三年），封赵王。625年（武德八年），任命为安州（治所在今湖北安陆）刺史。贞观初年，任命为雍州牧、右骁卫大将军。636年（贞观十年），徙封荆王，荆州都督。转任鄜州（治所在今陕西富县）刺史。永徽初年，进位司徒，实封1500户。653年（永徽四年），因梦见手持日月及参与房遗爱谋反事件，与子李则一起处刑。后来追封沈黎王，备礼改葬，以李奉慈子李长沙嗣，降为侯。神龙初年，李长沙子李逖被封为嗣荆王，但不久去世，无后国除。
妻子裴妃为裴寂的女儿。有女嫁房玄龄子房遗则。《新唐书·宗室世系表》称元景无后。
* 《旧唐书》卷六十四 列传第十四 荆王元景传
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欧姆接触是半导体设备上具有线性并且对称的电流-电压特性曲线（I-V curve）的区域。如果电流-电压特性曲线不是线性的，这种接触便叫做肖特基接触。典型的欧姆接触是溅镀或者蒸镀的金属片，这些金属片通过光刻制程布局。低电阻，稳定接触的欧姆接触是影响集成电路性能和稳定性的关键因素。它们的制备和描绘是电路制造的主要工作。
任何两种相接触的固体的费米能级（Fermi level，或者严格意义上，化学势）必须相等。 费米能级和真空能级的差值称作功函数。接触金属和半导体具有不同的功函数，分别记为和。当两种材料相接触时，电子将会从低功函（高Fermi level）一边流向另一边直到费米能级相平衡。从而，低功函（高Fermi level）的材料将带有少量正电荷而高功函（低Fermi level）材料则会变得具有少量负电荷。最终得到的静电势称为内建场记为。这种接触电势将会在任何两种固体间出现并且是诸如二极管整流现象和热电效应等的潜在原因。内建场是导致半导体连接处能带弯曲的原因。明显的能带弯曲在金属中不会出现因为他们很短的屏蔽长度意味着任何电场只在接触面间无限小距离内存在。
在经典物理图像中，为了克服势垒，半导体载流子必须获得足够的能量才能从费米能级跳到弯曲的导带顶。穿越势垒所需的能量是内建势及费米能级与导带间偏移的总和。同样对于n型半导体，当中是半导体的电子亲合能（electron affinity），定义为真空能级和导带（CB）能级的差。对于p型半导体，其中是禁带宽度，e是基本电荷。当穿越势垒的激发是热力学的，这一过程称为热发射。真实的接触中一个同等重要的过程既即为量子力学隧穿。WKB近似描述了最简单的包括势垒穿透几率与势垒高度和厚度的乘积指数相关的隧穿图像。对于电接触的情形，耗尽区宽度决定了厚度，其和内建场穿透入半导体内部长度同量级。耗尽层宽度可以通过解泊松方程以及考虑半导体内存在的掺杂来计算:
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刘知柔（？），唐朝徐州彭城县人。刘藏器之子，刘知几之兄。
刘知柔性青简静，仪态甚美，年轻时与弟弟刘知几都以词学知名。居丧庐墓侧，皇帝下诏筑阙表彰。世传儒学之业，以述作显名其家。刘知柔历任荆州长史、扬州长史、曹州刺史、益州长史、宋州刺史、海州刺史、唐州刺史、户部侍郎、国子司业、鸿胪卿、尚书右丞、工部尚书、东都留守。开元六年（718年）九月，河南大水，唐玄宗派遣工部尚书刘知柔持节往河南道存问，察民疾苦及官吏善恶。所表陈州刺史韦嗣立、汝州刺史崔日用、兖州刺史韦元珪、符离令綦毋顼等，只有二十七人有治绩。转任太子宾客，封彭城县侯。致仕，给全禄终身。去世时。遗令薄葬，祖载服用都是自处其费。赠太子少保，谥文。
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