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穆罕默德马里菲清真寺（Maarifi Sultan Camii）是土耳其伊斯坦布尔的一座清真寺，位于Kartal区，原为马里菲派的哈纳卡。
穆罕默德·马里菲是先知穆罕默德的后裔，出生在埃迪尔内（一说在埃及），奥斯曼帝国后期住在Kartal，并在此创立了苏菲派的马里菲派。1818年他在此建立了这个哈纳卡。哈纳卡在1894年伊斯坦布尔地震中损毁，很快又重建。1925年的土耳其宗教改革禁止哈纳卡，于是该建筑改为住宅。1976年该建筑改为清真寺，1980年修建了叫拜楼。
马里菲派的传播仅限于伊斯坦布尔，仅有两座哈纳卡，一座位于 Kartal，另一座位于伊斯坦布尔的欧洲一侧。
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贝吉·卡伊德·埃塞卜西在2014年9月9日提交参选文件。前总统宰因·阿比丁·本·阿里时代的外交部长卡迈勒·米尔詹在2014年9月13日宣布他将竞选总统。
现任总统蒙塞夫·马尔祖基2014年9月20日宣布他将竞选连任。
其他候选人包括穆罕默德·哈希米·哈姆迪、穆斯塔法·卡迈勒·纳布利、艾哈迈德·纳吉布·切比、穆斯塔法·本·贾法尔和蒙泽尔·兹纳伊迪。27个候选人被允许参选，70人未能通过参选申请。
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拥有SiGe制作服务的共有以下几家公司：国际商务机器（IBM）、意法半导体（STMicroelectronics）、台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）、飞思卡尔（Freescale，原本的摩托罗拉半导体部门）、索尼（Sony）、Atmel、Chartered Semiconductor Manufacturing、Micrel、英飞凌（Infineon）、德州仪器（TI）、IHP、Jazz Semiconductor，原本的胜讯（Conexant）。超微半导体（AMD）有意加入IBM的SiGe应变矽技术开发计划，让技术迈入65nm级规模。
2015年七月，IBM公司宣布通过SiGe工艺制成了7 nanometer级晶体管，有望使晶体管的产量上升三倍。
SiGe材料可让异质接面双极性电晶体整合进CMOS逻辑积体电路，达成混合讯号电路的功能。异质接面双极性电晶体比起同质接面双极性电极体，拥有高顺向增益、低逆向增益、低电流和较好的高频特性等优点。但在异质面技术中，与仅使用硅的技术相比，SiGe这种化合物半导体更容易进行能带调节。
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