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在金属中由于有大量电子移动抵消外加电场，外加的电场能使金属表层的电荷分布发生改变。然而，在半导体中，正负电荷的密度较低，无法完全抵消外加电场，所以外加电场会在半导体材料表面附近改变材料的导电性，这被称为“场效应”。场效应应用于肖特基二极管，场效应晶体管（主要指的是MOSFET，JFET和MESFET）。
在外加电场的作用下，接近半导体表面一定深度下的电子能级发生改变，这导致了材料表面的导电性发生改变，也使得材料表面区域的电子能占有的能级发生变化。这种效应具有代表性的表征方式是“能带弯曲图”。能带弯曲图表征了材料表面的能带边界Ef, Ec, Ev与进入材料深度x之间的关系。
如右图所示一个典型的能带弯曲图。为了简化，能带中的能量单位是eV，电压的单位是V，避免了引入参数q作为单位电荷。右图中显示的是一个双层结构，左边是绝缘体层，右边是半导体层。一个使用类似结构的例子是MOS电容，一个双端的结构，一边是金属栅极端，一边是半导体材料（比如硅）端，中间夹着一层绝缘层（比如氧化硅）。右图中，左边的子图显示出了导带的最低能级（Conduction Edge）和价带的最高能级（Valence Edge）。这些能带在外加电压V的作用下发生弯曲。依照习惯，图中显示的是电子的拥有能量，所以一个正电压作用于半导体材料会使材料表面的能带向下弯曲。虚线表示的是能级占有情况费米能级Ef：低于Ef倾向于被电子占领，导带在外加电压作用下向下弯曲更加接近Ef，表明在接近绝缘层的地方导带中存在更多的电子。
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应天府乡试第三十八名举人，嘉靖二十年（1541年）辛丑科会试第十八名，二甲六十四名进士。授户部主事，历官江西布政司左参议，三十四年三月以事降调。
嘉靖末官贵州按察司副使，穆宗即位后起用，隆庆元年（1567年）十月升江西右参政，二年正月升江西按察使，九月升四川右布政使，四年三月入为南京太仆寺卿，六年闰二月乞休。
万历元年（1573年）十月起升南京太常寺卿，二年七月升任南京礼部右侍郎，四年十一月以原官管南京祭酒事，五年闰八月以病乞休，万历十年正月赐祭葬。
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NHK长野放送局，是日本放送协会位于长野县长野市的地方放送局，也是负责主管当地事务的放送局。原本长野放送局只负责长野县北部地区；1988年，负责长野县中南部的NHK松本放送局降格为放送支局，隶属于长野放送局。
* NHK长野综合频道（呼号JONK-DTV）
* NHK长野教育频道（呼号JOLB-DTV）
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