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反三碘甲腺原氨酸（反-3,3',5'-三碘甲腺原氨酸，反T3或 rT3）是三碘甲腺原氨酸（3,5,3'-三碘甲腺原氨酸）即T3的手性异构体。
甲状腺释放到血液中碘甲腺原氨酸的含量第三的是反T3，其含量为0.9%；含量最高的四碘甲状腺素（T4）占90%，含量第二的T3占9%。然而，人体血液中95%的rT3是在身体的甲状腺外的器官产生的，因为酶会从T4中去除特定的碘原子。
甲状腺分米的激素受下丘脑和垂体的控制。甲状腺激素的生理活性由激活、失活或直接放弃激素原T4，并进而功能性改变T3和rT3的酶系统调节。这些酶在复杂的系统指导下运作，包括：神经递质、激素、代谢标志物和免疫信号。
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欧姆接触是半导体设备上具有线性并且对称的电流-电压特性曲线（I-V curve）的区域。如果电流-电压特性曲线不是线性的，这种接触便叫做肖特基接触。典型的欧姆接触是溅镀或者蒸镀的金属片，这些金属片通过光刻制程布局。低电阻，稳定接触的欧姆接触是影响集成电路性能和稳定性的关键因素。它们的制备和描绘是电路制造的主要工作。
任何两种相接触的固体的费米能级（Fermi level，或者严格意义上，化学势）必须相等。 费米能级和真空能级的差值称作功函数。接触金属和半导体具有不同的功函数，分别记为和。当两种材料相接触时，电子将会从低功函（高Fermi level）一边流向另一边直到费米能级相平衡。从而，低功函（高Fermi level）的材料将带有少量正电荷而高功函（低Fermi level）材料则会变得具有少量负电荷。最终得到的静电势称为内建场记为。这种接触电势将会在任何两种固体间出现并且是诸如二极管整流现象和热电效应等的潜在原因。内建场是导致半导体连接处能带弯曲的原因。明显的能带弯曲在金属中不会出现因为他们很短的屏蔽长度意味着任何电场只在接触面间无限小距离内存在。
在经典物理图像中，为了克服势垒，半导体载流子必须获得足够的能量才能从费米能级跳到弯曲的导带顶。穿越势垒所需的能量是内建势及费米能级与导带间偏移的总和。同样对于n型半导体，当中是半导体的电子亲合能（electron affinity），定义为真空能级和导带（CB）能级的差。对于p型半导体，其中是禁带宽度，e是基本电荷。当穿越势垒的激发是热力学的，这一过程称为热发射。真实的接触中一个同等重要的过程既即为量子力学隧穿。WKB近似描述了最简单的包括势垒穿透几率与势垒高度和厚度的乘积指数相关的隧穿图像。对于电接触的情形，耗尽区宽度决定了厚度，其和内建场穿透入半导体内部长度同量级。耗尽层宽度可以通过解泊松方程以及考虑半导体内存在的掺杂来计算:
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盾徽背景色为红色和浅蓝交错，象征着朝鲜战争中南北两方的冲突。此外红色也代表勇气和流血，金色代表卓越奉献和崇高理想。盾徽中央插着两把剑，分别为美国海军和海军陆战队的军官剑。盾徽中光芒象征着战斗的火焰和长津湖地区寒冷的环境。
舰徽上方喷火的半身龙，代表着来自中国的威胁。三叉戟象征海军力量。下方写有拉丁语座右铭“不可战胜”（Invictus）。
1992年8月10日，该舰离开珍珠港，随游骑兵号航空母舰（CV-61）战斗群进行首次部署。
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