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* 北魏孝昌年间营州陷，永熙二年（533年）侨置南营州，寄治英雄城（今河北徐水区西遂城）。领昌黎郡、辽东郡、建德郡、营丘郡、乐良郡五郡，11县，1813户，9036口。北齐仅领昌黎郡。隋文帝开皇初废南营州。
* 唐高祖武德四年（621年）平萧铣，将隋零陵郡之永阳县置营州。领营道、江华（今湖南省江华县沱江镇老县村）、永阳（今湖南省江永县潇浦镇圳景村）、唐兴（今湖南省宁远县舜陵镇）四县。武德五年（622年）改营州置南营州，治营道县（今湖南道县西）。辖境相当今湖南省南部的新田县、宁远县、道县、江永县及江华瑶族自治县地。唐太宗贞观八年（634年）改为道州，属江南西道。
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冬日娜冬，蒙古族，中国体育记者，现职中国中央电视台体育频道，专职田径新闻的报导。以多次采访刘翔而闻名。
* 大学于北京广播学院（中国传媒大学前身）新闻传播专业毕业，期间有参与田径比赛的经验，曾有代表大学参与全国比赛。就读大学期间亦曾在中央电视台实习。
* 1996年，于毕业后进入中国中央电视台体育频道正式成为体育记者
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复合半导体接触的形成可以理解比硅接触更为复杂。比如说，砷化镓（GaAs）表面倾向于丢失砷而且这种砷丢失的趋势可以通过沉积金属而被可观的放大。另外，砷的易挥发性限制了沉积后退火时砷化镓器件的承受度。砷化镓及其他复合半导体的一种解决办法是沉积低禁带合金接触层与高掺杂层相对。例如，砷化镓自己比砷化铝镓（AlGaAs）有更小的禁带带宽 所以一层靠近它表面的砷化镓层能促进欧姆行为。总之相比之下，III-V和II-VI半导体欧姆接触技术比硅欧姆接触技术发展较缓。
透明或半透明接触对于主动矩阵液晶显示器LCD、光电器件诸如激光二极管（LD）、发光二极管（LED）及光电管是必要的。最流行的选择是氧化铟锡（ITO），一种通过在氧气环境下溅射铟-锡（In-Sn）靶形成的金属。
接触电阻相关联的RC时间常数会限制器件的频率响应。引线电阻的充电与放电高时钟速率的数字电子设备能量耗散的主要原因。接触电阻在非常见半导体制成的低频和模拟电路中通过焦耳热的形式导致能量耗散（比如太阳能电池）。金属接触制备方法的建立是任何新兴半导体科技发展的重要部分。金属接触的电迁移与分离成层也是电子器件寿命的限制因素之一。
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