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阿蒙蒂斯堑沟群（Amenthes Fossae）是位于火星阿蒙蒂斯区的一系列的槽沟，其中心坐标为北纬9.07度和西经102.68度，长约850公里，其名称取古典反照率特征，该古典反照率特征名称来自古埃及神话中死者灵魂的去往之地阿蒙蒂斯或冥界。1976年，“阿蒙蒂斯堑沟群”名称被国际天文联合会正式接受。

在使用与火星相关的地理术语时，“堑沟群”（fossae）一词用于表示大型槽沟。槽沟有时也称为地堑，当地壳拉伸至断裂时，会形成两个断裂块，中间部分向下沉落，沿两侧留下陡峭的悬崖；当拉伸过程中地面塌陷到空腔中时，往往会形成一排陷坑。

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使用传统的矽半导体器件制造技术，即可在晶圆上形成SiGe。在CMOS制程方面，SiGe制程的成本和矽制程相当，但在异质接面技术方面，SiGe制程的成本比砷化镓制程还要低。近来，使用有机金属气相磊晶（MOVPE）沉积高纯度的含Ge薄膜、SiGe和应变矽时，会使用只有少量危害的液体来当做替代物，像有机锗化合物前体（如：异丁基锗烷、三氯锗烷、二甲氨基三氯锗烷）。

拥有SiGe制作服务的共有以下几家公司：国际商务机器（IBM）、意法半导体（STMicroelectronics）、台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）、飞思卡尔（Freescale，原本的摩托罗拉半导体部门）、索尼（Sony）、Atmel、Chartered Semiconductor Manufacturing、Micrel、英飞凌（Infineon）、德州仪器（TI）、IHP、Jazz Semiconductor，原本的胜讯（Conexant）。超微半导体（AMD）有意加入IBM的SiGe应变矽技术开发计划，让技术迈入65nm级规模。

2015年七月，IBM公司宣布通过SiGe工艺制成了7 nanometer级晶体管，有望使晶体管的产量上升三倍。

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李若梓（17世纪），四川顺庆府南充县人，明朝政治人物。

李若梓是隆庆元年举人李益之孙，万历二十八年（1600年）中举人，四十七年（1619年）成进士，获授襄城知县。县内有面油航税困扰商人，他一一免除，三年后调任洪洞，襄城人民上书请求他留任，但奏准的旨令在他就任洪洞数月才送达，山西巡抚徐绍吉也说：「襄城洪洞人民都是赤子，夺此还彼，那么洪洞人怎办？」最后依旧在洪洞出任知县。

其后李若梓升为陕西兵备道副使，擒斩流寇神一元、普天飞，因为劳累致病，迁任河南布政使后去世，入祀乡贤祠。

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