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在 19 世纪后期岩石圈弯曲假设首次被提出。这假设被用来解释斯堪的纳维亚半岛的海岸线的抬升原因。由于在最后一次冰期积聚的大陆冰帽冰的融化而抬升。 G. K. Gilbert 也用岩石圈弯曲来解释邦纳维尔湖岸线的隆起，直到 1950 年代，这假设才被Vening Meinesz 重新采用。
岩石圈弯曲的几何形状通常使用纯弹性薄板方法建模（一般使用重力异常拟合方法而不是根据直接数据）。板块厚度的计算是根据与观测的岩石圈弯曲最佳拟合。这计算厚度称为岩石圈等效弹性厚度，它的计算与岩石圈的刚度或硬度有关。这些岩石圈弯曲计算一般是
按照 Euler-Bernoulli 弯曲公式或拉格朗日方程 (Love-Kirchhoff) 进行。
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阿布·赛义德·穆海莱卜·本·阿比·苏富莱·艾兹迪（أَبْو سَعِيْد ٱلْمُهَلَّب ابْن أَبِي صُفْرَة ٱلْأَزْدِي，转写：Abū Saʿīd al-Muhallab ibn Abī Ṣufra al-Azdī）是伍麦叶王朝的将军，为其时代政治发展的重要参与者。哈里发穆阿威叶一世在位时期，他在印度作战。后驻守东方各省，为呼罗珊总督指挥对撒马尔罕的远征。穆阿威叶死（680）后，他背叛伍麦叶王朝，投靠反哈里发的阿卜杜拉·伊本·祖拜尔，任呼罗珊总督。就任前，先同狂热的穆斯林宗派“艾兹赖格”交战，终于把他们赶到波斯，并在他们内部发生宗教分裂以后粉碎了他们的权利。
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对于0 16cm-3左右，先镀Ti接触硅再镀上Ag形成欧姆接触。连同使用其它的反应金属，铝接触通过消耗天然氧化物中的氧来形成。硅化物很大程度上取代了铝（Al）部分因为高折射材料不太倾向于扩散到不希望的地带，特别是在随后的高温处理过程中。
复合半导体接触的形成可以理解比硅接触更为复杂。比如说，砷化镓（GaAs）表面倾向于丢失砷而且这种砷丢失的趋势可以通过沉积金属而被可观的放大。另外，砷的易挥发性限制了沉积后退火时砷化镓器件的承受度。砷化镓及其他复合半导体的一种解决办法是沉积低禁带合金接触层与高掺杂层相对。例如，砷化镓自己比砷化铝镓（AlGaAs）有更小的禁带带宽 所以一层靠近它表面的砷化镓层能促进欧姆行为。总之相比之下，III-V和II-VI半导体欧姆接触技术比硅欧姆接触技术发展较缓。
透明或半透明接触对于主动矩阵液晶显示器LCD、光电器件诸如激光二极管（LD）、发光二极管（LED）及光电管是必要的。最流行的选择是氧化铟锡（ITO），一种通过在氧气环境下溅射铟-锡（In-Sn）靶形成的金属。
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