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湾里社选址于台南州新化郡善化庄曾文新47番地（台湾制糖株式会社湾里制糖所内）（今善糖国小校内凉亭一带）金，是台湾制糖株式会社湾里制糖所（今善化糖厂）的构内神社。昭和九年版的《新化郡概况》记载说该神社是在昭和五年（1930年）8月投入4500多圆所兴建的，而《南瀛糖厂志》所写的是该年5月动工，10月完工，但两边记载的镇座式都是该年10月20日举行金厂。祭祀天照大神、明治天皇、北白川宫能久亲王金新，例祭日10月20日新。湾里社的拜殿为神明造，本殿很可能也是。

而当时湾里制糖所（今善化糖厂）曾经营窄轨铁路「善化＝神社前」营业线（战后称善化街线），其中神社指的就是湾里社。

湾里社本殿原址位于善糖国小内凉亭金。现仅存被移到在善化糖厂中山桥附近的狛犬1对厂和善糖文物馆旁庭园出土很可能属于湾里社的石灯笼构件"竿"、"中台"各1枚金。善糖文物馆前作为入口设立了木造明神鸟居1基，但与湾里社无关。

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欧姆接触是半导体设备上具有线性并且对称的电流-电压特性曲线（I-V curve）的区域。如果电流-电压特性曲线不是线性的，这种接触便叫做肖特基接触。典型的欧姆接触是溅镀或者蒸镀的金属片，这些金属片通过光刻制程布局。低电阻，稳定接触的欧姆接触是影响集成电路性能和稳定性的关键因素。它们的制备和描绘是电路制造的主要工作。

任何两种相接触的固体的费米能级（Fermi level，或者严格意义上，化学势）必须相等。费米能级和真空能级的差值称作功函数。接触金属和半导体具有不同的功函数，分别记为和。当两种材料相接触时，电子将会从低功函（高Fermi level）一边流向另一边直到费米能级相平衡。从而，低功函（高Fermi level）的材料将带有少量正电荷而高功函（低Fermi level）材料则会变得具有少量负电荷。最终得到的静电势称为内建场记为。这种接触电势将会在任何两种固体间出现并且是诸如二极管整流现象和热电效应等的潜在原因。内建场是导致半导体连接处能带弯曲的原因。明显的能带弯曲在金属中不会出现因为他们很短的屏蔽长度意味着任何电场只在接触面间无限小距离内存在。

在经典物理图像中，为了克服势垒，半导体载流子必须获得足够的能量才能从费米能级跳到弯曲的导带顶。穿越势垒所需的能量是内建势及费米能级与导带间偏移的总和。同样对于n型半导体，当中是半导体的电子亲合能（electron affinity），定义为真空能级和导带（CB）能级的差。对于p型半导体，其中是禁带宽度，e是基本电荷。当穿越势垒的激发是热力学的，这一过程称为热发射。真实的接触中一个同等重要的过程既即为量子力学隧穿。WKB近似描述了最简单的包括势垒穿透几率与势垒高度和厚度的乘积指数相关的隧穿图像。对于电接触的情形，耗尽区宽度决定了厚度，其和内建场穿透入半导体内部长度同量级。耗尽层宽度可以通过解泊松方程以及考虑半导体内存在的掺杂来计算:

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都柏林城堡（Caisleán Bhaile Átha Cliath）位于爱尔兰都柏林的圣母街，直到1922年爱尔兰自由邦成立并脱离英国独立为止是英国统治爱尔兰的政治中心，现在作为爱尔兰的综合博物馆群。其中城堡建筑可以追溯到18世纪前，城堡于1204年爱尔兰领地时期由无地王约翰建造。城堡作为历任统治者的所在地，英格兰王国和统一的不列颠君主治理下的爱尔兰领地（1171年—1542年），爱尔兰王国（1542年—1649年，1660年—1800年），大不列颠及爱尔兰联合王国（1801年—1922年）。1922年爱尔兰自由邦成立并脱离英国独立后，交接给迈克尔·柯林斯成立的临时政府。

都柏林城堡的现存建筑大多修建于18至19世纪。2000年，切斯特·比替图书馆在都柏林城堡内开馆。

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