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完颜宗雅，为金朝宗室，金太宗的儿子。女真名斛鲁补。
天眷元年（1138年），完颜宗雅被金熙宗封为代王。次年，兄弟完颜宗磐、完颜宗伟、完颜宗英、完颜鹘懒因谋反被杀，宗雅等九人被赦免。天德二年（1150年）完颜亮派人杀死完颜宗懿、完颜宗本、完颜宗美、完颜宗哲等人，时任中京留守的宗雅喜欢佛教，世称“善大王”，完颜亮知道他无能，没有杀他来奉太宗祭祀。后来召到关里，不几日也被杀死。太宗的子孙于是屠杀殆尽。大定二年（1162年），完颜宗雅被金世宗追封曹王。
* 《金史》卷七十六 列传第十四 太宗诸子
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美国公共政策企业研究院（American Enterprise Institute for Public Policy Research），简称美国企业研究院（American Enterprise Institute (AEI)），是一个位于美国首都华盛顿特区的智库，研究政府、政治、经济和社会福利。美国企业研究院是一个独立非营利性机构，建立于1938年，主要由基金会、企业、个人赞助支持。其宣称的宗旨是：守护并改善美国自由和民主资本主义的原则与制度，即有限政府、私人企业、个人自由与责任、谨慎与有效的国防及外交政策、政治责任和公开辩论。美国企业研究院与保守主义和新保守主义关联密切，但宣称自身没有党派倾向。
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柴可拉斯基法（Czochralski process），简称柴氏法，又称直拉法或提拉法，是一种用来获取半导体（如硅、锗和砷化镓等）、金属（如钯、铂、银、金等）、盐、合成宝石单晶材料的晶体生长方法。这个方法得名于波兰科学家扬·柴可拉斯基，他在1916年研究金属的结晶速率时，发明了这种方法。后来，演变为钢铁工厂的标准制程之一。
直拉法最重要的应用是晶锭、晶棒、单晶硅的生长。其他的半导体，例如砷化镓，也可以利用直拉法进行生长，也有一些其他方法（如布里奇曼-史托巴格法）可以获得更低的晶体缺陷密度。
高纯度的半导体级多晶硅在一个坩埚（通常是由石英制成）中被加热至熔融状态。诸如硼原子和磷原子的杂质原子可以精确定量地被掺入熔融的硅中，这样就可以使硅变为P型或N型硅。这个掺杂过程将改变硅的电学性质。将晶种（或称“籽晶”）置于一根精确定向的棒的末端，并使末端浸入熔融状态的硅。然后，将棒缓慢地向上提拉，同时进行旋转。如果对棒的温度梯度、提拉速率、旋转速率进行精确控制，那么就可以在棒的末端得到一根较大的、圆柱体状的单晶晶锭。通过研究晶体生长中温度、速度的影响，可以尽量避免不必要的结果。上述过程通常在惰性气体（例如氩）氛围中进行，并采用坩埚这种由较稳定的化学材料制成的反应室。
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