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鹫峰寺，又名澍峰寺、澍鹫寺，当地人俗称塔儿寺，坐落在河北省阳原县小盐厂村南两公里处的恒山支脉鹫峰岭上。

据考证该寺始建于唐贞元（公元785-805年）年间，清咸丰（公元1851-1861年）年间重修，距今已有1200多年的历史。现存仅存遗址为该寺西侧的大塔，即鹫峰寺塔，俗称唐塔，其龄与寺院相同，该塔为砖土建筑，1989年秋天的册田大地震中，塔尖被震下来，至今下落不明。1993年，鹫峰寺塔被列入河北省文物保护单位名单。

2004年，鹫峰寺正式恢复为佛教活动场所，方圆几百里之内（包括山西省大同市，河北省张家口市）的善男信女出资修正寺院，到2007年夏在建的寺院已经颇具规模，前来膜拜的佛教徒甚多。

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加州承载比（California bearing ratio，缩写为CBR）是一种用来评估道路基层材料机械强度的渗透测试。它是在二战前由加州公路局研发的。

该试验的方法是测量用一标准面积(3in2)的压头贯入土壤样品的压力。测出这个压力后，除以标准压力，即以相同贯入度压进标准碎石材料所需的压力，便得到CBR值。美国材料试验协会的D1883-05和D1883-05标准、以及美国全州道路运输行政官协会的T193标准中都有对CBR的描述。

CBR值用来评估修筑公路时土壤的结构承载力。还可用来评估铺设机场跑道时的土壤承载力。CBR值越高，土壤表面越硬。被开垦的农田的CBR约为3，草皮或湿黏土的CBR约为4.75，潮湿沙土的CBR则可能达到10。高质量碎石的CBR超过80。标准压力是依据加州碎石灰岩，它的CBR为100。

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在硅熔化前，可以向坩埚中添加硼、磷等材料，这样，拉制出的硅棒就具有与纯硅不同的电学性质。上述添加的材料被称为“杂质”，对应工艺过程被称为“掺杂”，得到的材料被称为“杂质半导体”。如果半导体材料不是硅，而是其他化合物（如砷化镓），同样可以使用直拉法来制备单晶材料。

通过上述直拉工艺制备的单晶硅是制造大积体电路的基础材料，被用于计算机、电视机、移动电话和其他各种电子设备中。

使用直拉法工艺制备单晶硅时，常用石英（主要成分为二氧化硅）坩埚作为器皿。这样做的一个不可避免的结果，就是器皿本身因为高温加热，将发生热分解，导致熔融状态硅中混入氧，其浓度的典型数量级为1018cm-3。氧杂质将带来一些好处。严格的退火工艺可以使氧沉淀下来。这些氧可以俘获半导体材料中不必要的过渡金属。除此之外，氧杂质还能够改善硅晶圆的机械强度，因为它能够固定制备流程中被引入的位错。1990年代，高浓度氧被发现能够在硅材料粒子探测器（例如欧洲核子研究组织中的大型强子对撞机项目）中用于辐射加固。因此，用这样的硅制成的辐射探测器，是将来进行高能粒子实验的理想设备。在后期的退火过程中，硅中的氧杂质也能俘获其他不必要的杂质。

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