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* 王晓萍 (杭州学者)，现任杭州电子科技大学MBA教育中心副教授。
* 王晓萍 (哈尔滨学者)，现任哈尔滨师范大学生物工程与技术系遗传教研室副教授。
* 王晓萍 (1962年)，西安文理学院副院长、九三学社陕西省副主委，第十三届全国政协委员
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使用直拉法工艺制备单晶硅时，常用石英（主要成分为二氧化硅）坩埚作为器皿。这样做的一个不可避免的结果，就是器皿本身因为高温加热，将发生热分解，导致熔融状态硅中混入氧，其浓度的典型数量级为1018cm-3。氧杂质将带来一些好处。严格的退火工艺可以使氧沉淀下来。这些氧可以俘获半导体材料中不必要的过渡金属。除此之外，氧杂质还能够改善硅晶圆的机械强度，因为它能够固定制备流程中被引入的位错。1990年代，高浓度氧被发现能够在硅材料粒子探测器（例如欧洲核子研究组织中的大型强子对撞机项目）中用于辐射加固。因此，用这样的硅制成的辐射探测器，是将来进行高能粒子实验的理想设备。在后期的退火过程中，硅中的氧杂质也能俘获其他不必要的杂质。
然而，氧杂质能够在光照环境中与硼发生反应，这与太阳能电池的情况类似。这将形成电活跃的硼-氧络合物。
通过考虑偏析系数，可以获得固态晶体中的杂质浓度。
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FEICOM为喀麦隆国家出资的基金会，管理体系依据国家法律和行政命令确立，详情如下：
FEICOM最高决策机构为董事会，其董事会由如下人员组成：
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