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“三钱”是中华人民共和国三位物理学家钱学森、钱伟长、钱三强的合称。时任总理的周恩来称他们为中国科学界的“三钱”。
1954至1956年期间，新成立的中华人民共和国开始制定《科学技术发展的十二年规划》，这也是中国制定的首个科学技术发展的远景规划，由周恩来总理亲自领导，副总理陈毅、李富春、聂荣臻主持。当时召集了来自中国各行各业600多位专家、学者，在1955年秋至1956年春集中住在北京西郊宾馆，确定了57项任务。当工作规划领导小组向国务院汇报的时候，周恩来提出要从这57项任务中找出特别紧迫的需要国务院支持的项目。规划小组又另外组织了一个“紧急措施小组”，这个小组成员包括钱学森、钱三强、钱伟长、黄昆、罗沛霖、王大珩、马大猷等人，经讨论提出六项内容，即原子弹、导弹、计算机、半导体、自动化技术、无线电电子学，因为前两项作为国防尖端项目，由国家另行安排，剩余四项经小组写成“四大紧急措施”的文件。然而此计划深远超过了当时生产需要的程度，因此几乎参加远景规划的四百余科学家均对草案主笔钱伟长提出了质疑。
最后中共中央和国务院确定了这十二年科学技术远景规划，也因此确定了共和国发展科学技术的基础。周恩来就“三钱”提出的细则文件，决定新建了三个研究所和一个研究室，即计算机、自动化、无线电电子学三个研究所（即后来的中国科学院数学研究所、中国科学院自动化所、中国科学院力学所）和在物理研究所内新建半导体研究室。1960年中苏交恶后，苏联撤出专家后，更显示出当时“三钱”提出的方案具备前瞻性。
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CMP技术早期主要应用于光学镜片的抛光和晶圆的抛光。
20世纪70年代，多层金属化技术被引入到集成电路制造工艺中，此技术使芯片的垂直空间得到有效的利用，并提高了器件的集成度。但这项技术使得硅片表面不平整度加剧，由此引发的一系列问题（如引起光刻胶厚度不均进而导致光刻受限）严重影响了大规模集成电路（LSI）的发展。针对这一问题，业界先后开发了多种平坦化技术，主要有反刻、玻璃回流、旋涂膜层等，但效果并不理想。80年代末，IBM公司将CMP技术进行了发展使之应用于硅片的平坦化，其在表面平坦化上的效果较传统的平坦化技术有了极大的改善，从而使之成为了大规模集成电路制造中有关键地位的平坦化技术。
化学机械平坦化是表面全局平坦化技术中的一种，既可以认为是化学增强型机械抛光也可以认为是机械增强型湿法化学刻蚀。该工艺使用具有研磨性和腐蚀性的磨料，并配合使用抛光垫和支撑环。抛光垫的尺寸通常比硅片要大。抛光垫和硅片被一个可活动的抛光头压在一起，而塑料的支撑环则用于保持硅片的位置。硅片和抛光垫同时转动（通常是以相反的方向转），但是它们的中心并不重合。在这个过程中硅片表面的材料和不规则结构都被除去，从而达到平坦化的目的。平面化后的硅片表面使得干式刻蚀中的图样的成型更加容易。平滑的硅片表面还使得使用更小的金属图样成为可能，从而能够提高集成度。
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据图尔的格里高利，墨洛维是法兰克领袖克洛迪奥的后代。相传是萨利安法兰克人的墨洛温王朝的始创人（也有认为是其父克洛迪奥或其子希尔德里克一世或其孙克洛维一世建立的），墨洛温王朝是以墨洛维的名字命名。
有人认为，墨洛维指的是荷兰境内的梅尔韦德河（Merwede），故名梅尔维河（Merwe）或梅若维河（Merove），曾是法兰克人的居住地。
历史上关于墨洛维的记载大多已经神化半神化，至于是否为克洛迪奥后代也不确定，根据弗莱德加编年史记载，墨洛维是克洛迪奥的妻子的儿子，父亲是一位海神。
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