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竹东丘陵原为隆起的冲积扇台地，但台地平坦面多遭河川切割而消失，仅在头前溪南岸与中港溪北岸，有较广的河阶分布。其中高位河阶面包括北侧的竹东面，高度在200-285公尺，比高在60-145公尺；在金山面至香山塘，包括头重埔一带的阶面，高度在90-120公尺，比高在50-90公尺；中港溪北侧的斗焕坪阶面，高度在140-180公尺，比高在90-120公尺。低位河阶则分布在头前溪南岸、峨眉溪流域、中港溪北岸的大埔阶地，以比高30公尺为中心，其下又有比高10公尺的阶面，其上尚有50-60公尺的阶面。至于盐港溪上游的新城溪，则无河阶分布。
竹东丘陵北半部属头前溪水系，东南半部属中港溪水系，如峨眉溪和流东溪，西半部则多独流入海水系，包括客雅溪、香山坑溪、鹿仔坑溪、盐港溪等，大致由东向西流入台湾海峡。
竹东丘陵上的河谷，呈现标准的树枝状水系，枝节甚密，谷头常呈圆形；河床宽度上下游无差，有时上游部反而宽大；河床相当平坦，是主要农业用地。大部分溪谷属于无水的干溪，有水之溪谷均呈细而深的峡谷，穿入于旧河床中，呈谷中谷现象。
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2003年4月25日政协第十届全国委员会第四次主席会议通过了《中国人民政治协商会议全国委员会主席会议工作规则》，2005年1月17日政协第十届全国委员会第十八次主席会议修订，2013年9月18日政协第十二届全国委员会第六次主席会议修订。
2004年3月12日中国人民政治协商会议第十届全国委员会第二次会议通过的《中国人民政治协商会议章程修正案》修订后的《中国人民政治协商会议章程》规定：
* 第三十条：“每届中国人民政治协商会议全国委员会的参加单位、委员名额和人选及界别设置，经上届全国委员会主席会议审议同意后，由常务委员会协商决定。”“每届全国委员会任期内，有必要增加或者变更参加单位、委员名额和决定人选时，经本届主席会议审议同意后，由常务委员会协商决定。”
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CMP技术早期主要应用于光学镜片的抛光和晶圆的抛光。
20世纪70年代，多层金属化技术被引入到集成电路制造工艺中，此技术使芯片的垂直空间得到有效的利用，并提高了器件的集成度。但这项技术使得硅片表面不平整度加剧，由此引发的一系列问题（如引起光刻胶厚度不均进而导致光刻受限）严重影响了大规模集成电路（LSI）的发展。针对这一问题，业界先后开发了多种平坦化技术，主要有反刻、玻璃回流、旋涂膜层等，但效果并不理想。80年代末，IBM公司将CMP技术进行了发展使之应用于硅片的平坦化，其在表面平坦化上的效果较传统的平坦化技术有了极大的改善，从而使之成为了大规模集成电路制造中有关键地位的平坦化技术。
化学机械平坦化是表面全局平坦化技术中的一种，既可以认为是化学增强型机械抛光也可以认为是机械增强型湿法化学刻蚀。该工艺使用具有研磨性和腐蚀性的磨料，并配合使用抛光垫和支撑环。抛光垫的尺寸通常比硅片要大。抛光垫和硅片被一个可活动的抛光头压在一起，而塑料的支撑环则用于保持硅片的位置。硅片和抛光垫同时转动（通常是以相反的方向转），但是它们的中心并不重合。在这个过程中硅片表面的材料和不规则结构都被除去，从而达到平坦化的目的。平面化后的硅片表面使得干式刻蚀中的图样的成型更加容易。平滑的硅片表面还使得使用更小的金属图样成为可能，从而能够提高集成度。
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