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西汉时曾置万年县。北周明帝二年（558年）析长安县、霸城县、山北县各一部分，再置万年县。与长安县同城而治。隋朝开皇二年（582年），于万年县境内修筑新城，即大兴城。次年，改万年县为大兴县，定都于此。大业三年（607年），改雍州为京兆郡，大兴县逐为隋朝国都所在，长安县为州郡治所。

唐朝武德元年（618年），改京兆郡为雍州，改大兴县为万年县。武德二年（619年）析置芷阳县，武德七年省。总章元年（668年）析置明堂县，长安二年（702年）省。天宝七载（748年），改咸宁县，至德三年（758年），复万年县。天祐元年（904年），唐昭宗迁都洛阳。万年县与长安县以长安城的朱雀大街为界，街西五十四坊属长安县，街东五十四坊属万年县。

北宋宣和七年（1125年），改万年县为樊川县。金大定二十一年（1181年）改为咸宁县。1914年撤咸宁县，并入长安县。

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他继续考察欧美国家的工厂，参加博览会，为印度引进先进的技术设备，并感到要用先进思想培养新一代的印度人。他说：“使一个国家或社会前进的，如果说是帮助那里最软弱最无助的人，不如说是提升那里最好的最有才能的人，让他们为国家的服务达到最大。”1893年，他对一位印度哲学家在太平洋的船上谈起创办学校之事。当时，这两位印度人从日本乘船赴美国参加纪念哥伦布发现新大陆400周年的芝加哥世界博览会。他创办的学校就是印度科学理工学院（Indian Institute of Science）。他还邀请日后在1904年获诺贝尔化学奖的英国化学家威廉·拉姆齐（William Ramsay）帮助建立该学院。拉姆齐为该校选中了校址，即印度西南部的班加罗尔。塔塔说服了英国驻印度总督，以及印度本土政治势力，最后一位印度大公国的王公捐赠1.5平方公里土地作为校址，塔塔本人提供校舍及设备，学校章程在1909年获得英国驻印度总督批准。1911年夏，印度科学学院招收第一批学生。该校如今是南亚最有研究力的大学，班加罗尔也成为信息产业中心。

他在逝世前唯一完成的大项目是泰姬陵酒店，这是印度人创办的第一家现代酒店。

1895年他曾说：“我们并不自诩比其他人更无私、更慷慨、更博爱。但我们相信，我们开创了健全、诚信的商业规则，既照顾了股东和我们自己的利益，也考虑了员工的福利和安全。员工无疑是塔塔走向繁荣的基石。”

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MOSFET和双极性晶体管不同，MOSFET在没有切换（切换导通或是切换关断）时，不需要固定的功率输入。MOSFET的隔离闸极会形成电容器（闸极电容），在每一次切换导通或关闭时，会需要充电或放电。电晶体的基极至少需要特定的电压才能导通，同様的，闸极电容需要一定的电压才能充电，让晶体导通。同样的，若要关断晶体，也需要释放电容器上的电荷，因此闸极电容也需要放电。

在功率晶体导通或是关断，不会立刻就切换到完全导通或是完全不导通的状态，切换过程中可能会有短暂时间通过大电流，且功率晶体上有较大的电压。因此在切换时会使晶体发热，若控制不当，甚至会破坏功率晶体。因此有需要使切换时间越短越好，以降低其切换损失。一般的切换时间约在微秒等级。晶体的切换时间和驱动闸极需要的电流成反比。因此切换电流一般会要求在数百mA的等级，甚至会到数安培的大小，因为一般的闸极电压会在10-15V之间，切换时会需要消耗数瓦特的功率。假如需要高速的切换大电流，例如直流-直流转换器或是大型的电动机，会将数个功率晶体并联，以提供够大的切换电流及功换功率。

功率晶体的切换信号一般是由逻辑电路或是单片机提供，其输出信号的电流一般会限制在数毫安。若功率晶体直接以此信号驱动，其切换速度会非常的慢，而且产生的切换损失很大。在切换时，闸极电容会快速的抽电流，可能会从逻辑电路或是单片机抽取过多的电流，造成元件的永久损坏。为了避免此一情形，会在逻辑电路及单片机输出电路和功率晶体之间加上闸极驱动器。

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