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王鸿儒年幼好学，但家贫，担任府书佐理。南阳府知府段坚爱其才能，留在署中并亲自教导。后遣入学校为诸生，成化十九年乡试中举第一（解元）。成化二十三年（1487年），登丁未科进士，弘治二年（1489年）授南京户部主事，七年升员外郎，催舟于淮安，督税于凤阳，九年升山西提学佥事，十五年升副使，仍督学政。其在任九年时间，山西士风甚盛。明孝宗曾对刘大夏称：「藩臬中若王鸿儒，他日可大用也。」

弘治十八年（1505年），王鸿儒借病请求致仕。正德时，刘瑾擅政，收召名流。正德四年，起用为国子监祭酒，后因父丧丁忧。七年（1512年）再起用为南京户部右侍郎，十年改南京吏部右侍郎，转左侍郎。正德十四年（1519年），升南京户部尚书。朱宸濠谋反，命其督军饷，七月坐船至安陆，因背生疽病去世，年六十一，谥文庄。

曾祖王云（王道十）；祖父王觉成；父王本，母司氏。

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青年路站是武汉地铁2号线车站，规划时称“航空路站”，因站位位于青年路上，且原青年路站（今王家墩东站）已更名，故改名为青年路站。位于武汉市江汉区。

位于青年路与航空路交汇处北侧，沿青年路偏西布置。

车站总长210.2m ，标准段宽18.5 m，开挖深度约17.6m，主体建筑面积为7980㎡。

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直拉法最重要的应用是晶锭、晶棒、单晶硅的生长。其他的半导体，例如砷化镓，也可以利用直拉法进行生长，也有一些其他方法（如布里奇曼-史托巴格法）可以获得更低的晶体缺陷密度。

高纯度的半导体级多晶硅在一个坩埚（通常是由石英制成）中被加热至熔融状态。诸如硼原子和磷原子的杂质原子可以精确定量地被掺入熔融的硅中，这样就可以使硅变为P型或N型硅。这个掺杂过程将改变硅的电学性质。将晶种（或称“籽晶”）置于一根精确定向的棒的末端，并使末端浸入熔融状态的硅。然后，将棒缓慢地向上提拉，同时进行旋转。如果对棒的温度梯度、提拉速率、旋转速率进行精确控制，那么就可以在棒的末端得到一根较大的、圆柱体状的单晶晶锭。通过研究晶体生长中温度、速度的影响，可以尽量避免不必要的结果。上述过程通常在惰性气体（例如氩）氛围中进行，并采用坩埚这种由较稳定的化学材料制成的反应室。

为了提高半导体工业的生产效率，常常按一定标准规格来生产晶圆。早期的晶棒较小，直径通常只有几英寸。随着技术的进步，高端的制造一起开始使用200毫米甚至300毫米直径的晶圆。要准确地制造这样尺寸的晶圆，必须严格控制工作温度、旋转速度以及晶种棒的提拉速度。用于切割成晶圆的晶锭长达2米，重达几百千克。更大的晶圆可以进一步提升制造效率，这是因为利用单个晶圆能够制造出更多的芯片。这也是人们不断尝试增大硅晶圆尺寸的原因。现在，半导体工业界正在挑战450毫米级别的晶圆，计划在2012年投产。硅晶圆的典型厚度在0.2至0.75毫米之间，通过抛光技术可以使表面更加平滑，这样更适合制造积体电路。此外，通过刻出特定的纹路，晶圆还可以用来制造太阳能电池。

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