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贫铀装甲（Depleted Uranium Armor）是一种用铀制造的装甲，材料主要来自核废料，成分大部分是铀分离铀235后剩下的铀238，经过复杂工序与其他合金结合，成为密度极高的金属，密度和硬度比钨合金更高。

贫铀装甲最早由美国研发，美国发明穿透力强大的贫铀穿甲弹后，便利用当时独步全球的技术开发贫铀装甲，于1980年代末期用于M1A1艾布拉姆斯坦克。采用贫铀装甲的M1A1坦克被称为M1A1HA（Heavy Armor），防护力是使用普通复合装甲的两倍，令M1坦克可以拥有超强的防护力。关于贫铀装甲的制造技术目前仍被美国视为高度机密。

贫铀装甲的缺点是工艺复杂，造价高，重量大，也因为加工困难，难以造成曲面，只能用于重点防御，例如坦克的正面。另外虽然贫铀的放射性铀235比例极少，但仍是有放射性物质残留的疑虑。

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光登伯效应（英语：photo-Dember effect)，半导体受飞秒激光激发后，发出带电的电磁辐射，这是由于极快电子-空穴对在很强载流子梯度而造成的。同时，由于电子和空穴的迁移率不同，破坏了表面的对称性，半导体表面附近形成垂直表面的电偶极矩（正极在下，负极在上）。这种效应，称为光登伯效应。它是美国物理学家Harry Dember于1931年发现的。

光登伯效应的主要应用之一是用来产生太赫兹脉冲辐射或太赫兹时间范畴谱仪。大多数半导体都具有光登伯效应，但在狭带隙半导体，如InAs 和InSb ，它们具有较高的电子迁移率，而光登伯效应较强。

近来已有人能做出与激化面平行的极化面光登伯效应。

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吴羽（株式会社クレハ）是一家总部位于日本东京都的上市公司，成立于1944年，是日本大型化工企业，是世界主要的聚偏二氟乙烯生产商。

吴羽前身是1944年成立的「吴羽化学工业株式会社」，2005年改名为「株式会社吴羽」。2012年曾占据全球七成的聚偏二氟乙烯（PVDF）市场份额，年产量为4000顿，吴羽生产PVDF的唯一工厂位于福岛县磐城市，在东日本大震灾后被迫停产，导致时任吴羽社长岩崎隆夫决定未来在美国或者中国开设新的PVDF工厂。2014年吴羽在常熟市开设的PVDF工厂正式投产，PVDF年产量为5000吨。2021年吴羽的PVDF生产全球市场份额缩减到40%，该年吴羽计划将公司的PVDF总产量提高到2.1万顿，并将于2024年夏季在中国开设新工厂，新工厂的PVDF年产量预计为一万顿。

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