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室女座星系团（Virgo Cluster）是一个距离地球53.8±0.3百万光年（16.5±0.1百万秒差距），位于室女座的星系团。它拥有2,000个星系，并组成更巨大的室女座超星系团的中心部份，而我们银河系所在的本星系群只是这个集团的外围成员。估计这个集团的中心8度半径（220万秒差距）范围内的质量是1.215M☉。
这个集团中较明亮的一些星系，包括巨大椭圆星系M87，都在1770年代末至1780年代初被梅西尔收录在他的类似彗星天体的梅西尔天体列表中。它们最初被形容为「不含恒星的星云」（nebulae without stars），直到1920年代人们才认清它们的真正本质。这个星系集团的中心部分在室女座中延伸的弧度长达8度，其中有许多星系都能用小望远镜看见。
这个集团中的螺旋和椭圆星系的分布相当均匀，在2004年，这个集团中的螺旋星系被认为是分布在一个舒展在长度扩展为宽度4倍的长方形细丝（从银河系看过去）。椭圆星系则比螺旋星系较为集中在中心。
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欧姆接触是半导体设备上具有线性并且对称的电流-电压特性曲线（I-V curve）的区域。如果电流-电压特性曲线不是线性的，这种接触便叫做肖特基接触。典型的欧姆接触是溅镀或者蒸镀的金属片，这些金属片通过光刻制程布局。低电阻，稳定接触的欧姆接触是影响集成电路性能和稳定性的关键因素。它们的制备和描绘是电路制造的主要工作。
任何两种相接触的固体的费米能级（Fermi level，或者严格意义上，化学势）必须相等。 费米能级和真空能级的差值称作功函数。接触金属和半导体具有不同的功函数，分别记为和。当两种材料相接触时，电子将会从低功函（高Fermi level）一边流向另一边直到费米能级相平衡。从而，低功函（高Fermi level）的材料将带有少量正电荷而高功函（低Fermi level）材料则会变得具有少量负电荷。最终得到的静电势称为内建场记为。这种接触电势将会在任何两种固体间出现并且是诸如二极管整流现象和热电效应等的潜在原因。内建场是导致半导体连接处能带弯曲的原因。明显的能带弯曲在金属中不会出现因为他们很短的屏蔽长度意味着任何电场只在接触面间无限小距离内存在。
在经典物理图像中，为了克服势垒，半导体载流子必须获得足够的能量才能从费米能级跳到弯曲的导带顶。穿越势垒所需的能量是内建势及费米能级与导带间偏移的总和。同样对于n型半导体，当中是半导体的电子亲合能（electron affinity），定义为真空能级和导带（CB）能级的差。对于p型半导体，其中是禁带宽度，e是基本电荷。当穿越势垒的激发是热力学的，这一过程称为热发射。真实的接触中一个同等重要的过程既即为量子力学隧穿。WKB近似描述了最简单的包括势垒穿透几率与势垒高度和厚度的乘积指数相关的隧穿图像。对于电接触的情形，耗尽区宽度决定了厚度，其和内建场穿透入半导体内部长度同量级。耗尽层宽度可以通过解泊松方程以及考虑半导体内存在的掺杂来计算:
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