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化学气相沉积（chemical vapor deposition，简称CVD）是一种用来产生纯度高、性能好的固态材料的化学技术。半导体产业使用此技术来成长薄膜。典型的CVD制程是将晶圆（基底）暴露在一种或多种不同的前趋物下，在基底表面发生化学反应或/及化学分解来产生欲沉积的薄膜。反应过程中通常也会伴随地产生不同的副产品，但大多会随著气流被带走，而不会留在反应腔（reaction chamber）中。
微制程大都使用CVD技术来沉积不同形式的材料，包括单晶、多晶、非晶及磊晶材料。这些材料有硅、碳纤维、碳奈米纤维、奈米线、奈米碳管、SiO2、硅锗、钨、硅碳、氮化硅、氮氧化硅及各种不同的high-k介质等材料。CVD制程也常用来生成合成钻石。
一些CVD技术被广泛地使用及在文献中被提起。这些技术有不同的起始化学反应机制（如活化机制）及不同的制程条件。
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溶于吡啶、醇、乙醚、丙酮、丁酮、氯仿和甲苯等有机溶剂及氢氧化钠溶液，微溶于水（59-61 mg/L）。
加热苯酚水溶液并滴加溴进行溴代反应。冷却后过滤，滤饼加水稀释后得到粗品。
后把粗品溶于70℃乙醇中，加上活性炭脱色。过滤后加入将等量的水与滤液混合，析出三溴苯酚针状结晶。
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* 三次方程的卡尔达诺公式：解法的思路来自塔塔利亚。
* 欧拉数e：雅各布·伯努利第一个注意到此常数。
* RSA加密算法：RSA是1977年由罗纳德·李维斯特（Ron Rivest）、阿迪·萨莫尔（Adi Shamir）和伦纳德·阿德曼（Leonard Adleman）一起提出的。当时他们三人都在麻省理工学院工作。RSA就是他们三人姓氏开头字母拼在一起组成的。其实1973年，在英国政府通讯总部工作的数学家Clifford Cocks在一个内部文件中就提出了一个相同的算法，但他的发现被列入机密，一直到1997年才被发表。
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