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郎岌，唐朝定州博陵（今河北省定州市）人。

郎岌上表备陈唐中宗韦皇后和宗楚客将发动逆乱，唐中宗没有采纳，韦皇后劝中宗将他杖杀，唐中宗于是派人诛杀郎岌。同时，许州司户参军燕钦融再上书斥韦后擅政，中宗派卫士将他扑杀。六月，中宗驾崩，唐隆之变爆发，韦皇后和宗楚客被相王李旦、临淄王李隆基父子处决。李旦即位为唐睿宗，将郎岌和燕钦融追赠为谏议大夫，备礼改葬，赐燕钦融一子官。

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使用直拉法工艺制备单晶硅时，常用石英（主要成分为二氧化硅）坩埚作为器皿。这样做的一个不可避免的结果，就是器皿本身因为高温加热，将发生热分解，导致熔融状态硅中混入氧，其浓度的典型数量级为1018cm-3。氧杂质将带来一些好处。严格的退火工艺可以使氧沉淀下来。这些氧可以俘获半导体材料中不必要的过渡金属。除此之外，氧杂质还能够改善硅晶圆的机械强度，因为它能够固定制备流程中被引入的位错。1990年代，高浓度氧被发现能够在硅材料粒子探测器（例如欧洲核子研究组织中的大型强子对撞机项目）中用于辐射加固。因此，用这样的硅制成的辐射探测器，是将来进行高能粒子实验的理想设备。在后期的退火过程中，硅中的氧杂质也能俘获其他不必要的杂质。

然而，氧杂质能够在光照环境中与硼发生反应，这与太阳能电池的情况类似。这将形成电活跃的硼-氧络合物。

通过考虑偏析系数，可以获得固态晶体中的杂质浓度。

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旋律中，如果两个相邻的旋律音之间的音程关系是为四度或超过四度，则这个旋律进行被称作大跳。

按照进行方向划分，可以将旋律进行划分为保持、上行、下行。

* 音高向上进行的声部进行称作上行进行。

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