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欧姆接触是半导体设备上具有线性并且对称的电流-电压特性曲线（I-V curve）的区域。如果电流-电压特性曲线不是线性的，这种接触便叫做肖特基接触。典型的欧姆接触是溅镀或者蒸镀的金属片，这些金属片通过光刻制程布局。低电阻，稳定接触的欧姆接触是影响集成电路性能和稳定性的关键因素。它们的制备和描绘是电路制造的主要工作。
任何两种相接触的固体的费米能级（Fermi level，或者严格意义上，化学势）必须相等。 费米能级和真空能级的差值称作功函数。接触金属和半导体具有不同的功函数，分别记为和。当两种材料相接触时，电子将会从低功函（高Fermi level）一边流向另一边直到费米能级相平衡。从而，低功函（高Fermi level）的材料将带有少量正电荷而高功函（低Fermi level）材料则会变得具有少量负电荷。最终得到的静电势称为内建场记为。这种接触电势将会在任何两种固体间出现并且是诸如二极管整流现象和热电效应等的潜在原因。内建场是导致半导体连接处能带弯曲的原因。明显的能带弯曲在金属中不会出现因为他们很短的屏蔽长度意味着任何电场只在接触面间无限小距离内存在。
在经典物理图像中，为了克服势垒，半导体载流子必须获得足够的能量才能从费米能级跳到弯曲的导带顶。穿越势垒所需的能量是内建势及费米能级与导带间偏移的总和。同样对于n型半导体，当中是半导体的电子亲合能（electron affinity），定义为真空能级和导带（CB）能级的差。对于p型半导体，其中是禁带宽度，e是基本电荷。当穿越势垒的激发是热力学的，这一过程称为热发射。真实的接触中一个同等重要的过程既即为量子力学隧穿。WKB近似描述了最简单的包括势垒穿透几率与势垒高度和厚度的乘积指数相关的隧穿图像。对于电接触的情形，耗尽区宽度决定了厚度，其和内建场穿透入半导体内部长度同量级。耗尽层宽度可以通过解泊松方程以及考虑半导体内存在的掺杂来计算:
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海鸥岛为珠三角河流冲积而成的内河岛屿，位于广州市番禺区石楼镇东部，地处珠江入海口，临狮子洋，为珠江主航道和莲花山水道所包围。全岛面积约36平方公里，岸线长37.96公里，管辖海心，沙北，沙南，江鸥四个自然村共1.9万常住人口。海鸥岛为广州新城的重要组成部分。
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* 1870年5月03日-1917年7月14日：石勒苏益格-荷尔斯泰因的海伦娜·维多利亚公主殿下
* 1917年7月14日-1948年3月13日：海伦娜·维多利亚公主殿下
1917年6月，法院通告中出现了一条通知，称乔治五世将准备一份皇家授权令，免除他的堂表兄弟姐妹们使用其头衔中的“石勒苏益格-荷尔斯泰因-松德堡-奥古斯腾堡”部分。然而皇室授权令并没有发出，海伦娜·维多利亚公主及玛丽·路易丝公主也没有获得大不列颠及爱尔兰或联合王国公主殿下的称号。
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