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1425年，封嘉靖大夫。根据《朝鲜王朝实录》的记载，温宁君性格放荡，1430年（世宗十二年）元旦朝贺之时，他与혜령군李祉用笏板打慎宜君李仁的梁冠坠地，慎宜君随即也踢温宁君的梁冠，温宁君因此遭到弹劾。朝鲜世宗认为三人在朝班戏谑殊为无礼，然而慎宜君作为温宁君的从侄，竟敢踩踏长辈的梁冠，十分无礼。因此世宗将慎宜君逐出城外，但却没有治温宁君和惠宁君的罪。同年，又因为在宗学与惠宁君相互戏谑，而遭到宗簿寺的弹劾。1430年，正式受封温宁君，拜正一品。1438年世宗驾崩后，又因为在国丧期间饮酒作乐而遭到弹劾。
文宗驾崩、端宗继位后，让宁大君和温宁君一起去拜见首阳大君李瑈（即后来的朝鲜世祖），让宁大君握住首阳大君的手，认为首阳大君将会是未来的君主。1453年，温宁君卒。端宗停朝三日，赐赙麻布四十匹、苎布三匹、米豆幷一百石、纸二百卷。谥良惠。其墓在首尔城北区弥阿洞。
* 夫人：益山郡夫人 顺天朴氏（朴安命）
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闸极驱动器（gate driver）是一种功率放大器，可以让控制集成电路产生的小功率讯号来驱动功率晶体（例如IGBT或是power MOSFE）的闸极。闸极驱动器可能是附在功率晶体上，也有可能是独立的元件。闸极驱动器会包括位准转换器以及放大器电路。
MOSFET和双极性晶体管不同，MOSFET在没有切换（切换导通或是切换关断）时，不需要固定的功率输入。MOSFET的隔离闸极会形成电容器（闸极电容），在每一次切换导通或关闭时，会需要充电或放电。电晶体的基极至少需要特定的电压才能导通，同様的，闸极电容需要一定的电压才能充电，让晶体导通。同样的，若要关断晶体，也需要释放电容器上的电荷，因此闸极电容也需要放电。
在功率晶体导通或是关断，不会立刻就切换到完全导通或是完全不导通的状态，切换过程中可能会有短暂时间通过大电流，且功率晶体上有较大的电压。因此在切换时会使晶体发热，若控制不当，甚至会破坏功率晶体。因此有需要使切换时间越短越好，以降低其切换损失。一般的切换时间约在微秒等级。晶体的切换时间和驱动闸极需要的电流成反比。因此切换电流一般会要求在数百mA的等级，甚至会到数安培的大小，因为一般的闸极电压会在10-15V之间，切换时会需要消耗数瓦特的功率。假如需要高速的切换大电流，例如直流-直流转换器或是大型的电动机，会将数个功率晶体并联，以提供够大的切换电流及功换功率。
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* 腓特烈·法兰兹（1910年—2001年）
* 克里斯蒂安·路德维希（1912年—1996年）
* 安娜斯塔西娅（1923年—1979年）
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