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这一概念的初衷，是从1971年制作的《归来的奥特曼》中诞生的，此后则由1972年的《艾斯·奥特曼》，和于其后的作品中继续发扬光大。
* 宇宙英雄 超银河传说 THE MOVIE
* 赛罗·奥特曼 THE MOVIE 超决战！贝利亚银河帝国
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* 1945年（昭和20年）8月 驻日美军接收
* 1958年（昭和33年）12月 接收解除（美军军报《星条旗》新闻社周边除外）
* 1970年（昭和45年）6月 都立青山公园开园
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使用直拉法工艺制备单晶硅时，常用石英（主要成分为二氧化硅）坩埚作为器皿。这样做的一个不可避免的结果，就是器皿本身因为高温加热，将发生热分解，导致熔融状态硅中混入氧，其浓度的典型数量级为1018cm-3。氧杂质将带来一些好处。严格的退火工艺可以使氧沉淀下来。这些氧可以俘获半导体材料中不必要的过渡金属。除此之外，氧杂质还能够改善硅晶圆的机械强度，因为它能够固定制备流程中被引入的位错。1990年代，高浓度氧被发现能够在硅材料粒子探测器（例如欧洲核子研究组织中的大型强子对撞机项目）中用于辐射加固。因此，用这样的硅制成的辐射探测器，是将来进行高能粒子实验的理想设备。在后期的退火过程中，硅中的氧杂质也能俘获其他不必要的杂质。
然而，氧杂质能够在光照环境中与硼发生反应，这与太阳能电池的情况类似。这将形成电活跃的硼-氧络合物。
通过考虑偏析系数，可以获得固态晶体中的杂质浓度。
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