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扩散电流在半导体中因载流子（空穴或自由电子）扩散作用引起的电流。 半导体中的扩散电流可以与由于电场形成的漂移电流同向或者反向。在一个平衡状态的PN结中，耗尽层的正向扩散电流和反向扩散电流平衡，因而净电流为零。可以用漂移–扩散方程来统一描述扩散电流和漂移电流。
掺杂材料的扩散常数可以通过Haynes–Shockley experiment确定。
扩散电流存在无需在半导体上外加电场。这是因为扩散作用是由载流子浓度的变化，而不是载流子浓度本身所引起的。载流子(空穴和自由电子)从高浓度的地方运动到低浓度的地方，这种扩散运动产生了电流，叫做扩散电流。漂移电流和扩散电流构成了半导体中的总电流。载流子浓度的变化形成梯度。由于这个梯度，半导体内产生了电场。
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1848年之前下奥地利州议会设此。1861年以后，为州议会和一些州政府部门占用，直到1997年时，圣珀尔滕充分履行下奥地利的新首府的职能。
在1848年3月革命中，此处起到重要作用，为革命力量的焦点。起义随后被军方镇压。
1918年，这里是新成立的德意志-奥地利共和国议会所在地。1997年，立法机关和政府部门搬出后，该建筑经过大幅整修和修复，现在用于展览等活动。2004年它更名为下奥地利宫。
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真兴王、 真智王 、真平王，并曾经担任「玺主」一职，借此掌握新罗的政权及兵权，并与花郎有著密切的关系。
* 《渊盖苏文》－徐甲淑（2006年－2007年）
* 《善德女王》－U-ie（青年）、高贤廷（成年）（2009年）
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