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随著1960年代后期廉价电晶体的广泛应用，基于电晶体的音频功率放大器变得实用。自1970年代以来，大多数现代音频放大器都基于固态电晶体，尤其是双极性接面型电晶体（BJT）和金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）。与真空管放大器相比，基于电晶体的放大器重量更轻、更可靠而且需要的维护更少。
MOSFET由Mohamed M. Atalla和Dawon Kahng于1959年在贝尔实验室发明，1974年由日本东北大学的西泽润一改造为用于音频的功率MOSFET。山叶很快就为他们的高传真音频放大器制造出功率MOSFET。JVC、先锋公司、索尼和东芝也在1974年开始制造带有功率MOSFET 的放大器。1977年，日立推出了LDMOS（横向扩散MOS），一种功率MOSFET。日立是1977年至1983年间唯一的LDMOS制造商，在此期间，LDMOS被用于HH Electronics（V 系列）和Ashly Audio等制造商的音频功率放大器，并用于音乐和Public address system。D类放大器在1980年代中期获得成功，当时低成本、快速开关的MOSFET变得可用。许多电晶体放大器在其功率部分使用MOSFET元件，因为它们的失真曲线更像真空管。
在2010年代，仍然有音频爱好者、音乐家（尤其是电吉他、电贝斯、哈蒙德电风琴和罗德斯电钢琴等乐器演奏者）、音频工程师和音乐制作人更喜欢基于真空管的放大器，并且认为那是“温暖的”Tube sound。
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玉山北峰，位处台湾南投县信义乡东埔村，是台湾玉山山脉中的一座山峰，为台湾百岳名峰之一，位于玉山主峰北侧，标高3,858公尺。日治时期名为北山、新高北山、斗六新高，与玉山北北峰相隔一鞍，状似骆驼的驼峰，台湾登山家邢天正称其为天驼峰。日治时期起，峰顶上设有玉山气象站（标高3,844.8公尺），至今仍为台湾海拔最高的建筑物。玉山国家公园成立后，玉山北峰划入被保护范围。玉山北峰。北有玉山北北峰(标高3,833公尺，非百岳)，南有玉山主峰及玉山东峰。
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