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陈松蹊(11月),男,中国统计学家,北京大学教授,中国科学院院士。
1983年获得北京师范大学学士学位,担任北京经济学院讲师,1988年获得同校硕士学位,1990年获得惠灵顿维多利亚大学硕士学位,1993年获澳大利亚国立大学统计学博士学位,2000年担任新加坡国立大学副教授,2003年担任爱荷华州立大学副教授,2006年升任教授。2008年担任北京大学光华管理学院商务统计与经济计量系联席系主任。
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由于没有被包括在专利申请中而感到震惊的萧克利,秘密地继续他自己的工作,以接面而不是点接触为基础制造另一种电晶体。他预计这种设计将更有可能在商业上可行。他认为,点接触电晶体将被证明是脆弱且难以制造的。萧克利还对点接触电晶体的工作原理以及某些少数载流子注入的可能性的解释不满意。
1948年2月13日,另一位团队成员John N. Shive建造了一个点接触电晶体,在锗的细楔形物的正反两面都带有青铜触点,证明了电洞可以扩散到整个锗中,而不仅仅是沿表面扩散。Shive的发明激发了 Shockley发明了接面型电晶体。几个月后,他发明了一种全新的,坚固得多的新型电晶体,其层或层“三明治”结构。这种结构一直被用于1960年代的所有电晶体的绝大部分,并发展成为双极接面型电晶体。萧克利后来承认,该团队的工作是“合作与竞争的结合”。他还承认自己一直保密自己的工作,直到1948年希夫(Shive)的前进迫使他“亮明手牌”。萧克利对他所谓的“三明治”电晶体进行了相当完整的描述,并于1949年4月7日获得了第一份原理证明。
同时,萧克利研究了他的巨著《半导体中的电子和空穴》和在1952年编辑了《近乎完美晶体的缺陷》。书集包括萧克利关于漂移和扩散的批判性思想以及控制固态晶体中电子流动的微分方程。 还描述了萧克利的二极体方程。这项开创性的工作成为其他科学家的参考书,他们致力于开发和改进电晶体以及基于半导体的其他器件的新变体。
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