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高丽高宗二十二年（1235年）被封为太子妃，次年，生忠烈王。高宗二十四年（1237年）七月二十九日去世，得年16岁（虚岁），号敬穆贤妃。高丽元宗三年（1262年）追封为静顺王后。忠烈王即位，追尊为顺敬太后。忠宣王二年元武宗降制追封高丽王妃。
维大岁丁酉十月朔己卯初七日乙酉。王若曰。天不畀年。怆矣英灵之奄逝。谥能成德。欲其芳迹之丕掦。咨尔敬穆贤妃金氏。千年故国之王孙。三叶功臣之侯阀。夙将婉娈。升配元良。谓成内助之功。增耀重晖之德。何遽婴于危顿。曾不假于须臾。脱可挽牵。奈此迫忽。始来兮犹月未满。倐往兮如花易凋。不图至斯。何嗟及矣。噫阅世犹无几岁。况入宫才及数年。既得生男之祥。寻臻诞女之庆。凡事大早。惟朕自疑。果于乃龄。而有斯故。呜呼。礼莫为重。宜丰送往之仪。行所由生。将擧易名之典。今遣太尉具官某，大常卿具官某等。备礼册命赠谥曰某。汗青筠而洒翰。代彤管之流辉。二字之称。万世之美。贞魂如在。懿册是膺。呜呼哀哉。
维大岁丁酉七月二十九日戊寅。敬穆贤妃金氏。感疾薨于社堂里之私舍。即移殡于京南之本弟。越十月初七日乙酉。葬于嘉陵。礼也。龟兆叶时。鹥轩戒道。舍尔金屋。即于松阡。礼视后仪。光生国路。念储闱之摽擗。增予志之痛悲。何以宠之。唯此词耳。其词曰。天降金柜。庆源肇启。的脉相承。尔则其裔。外家维何。世誓带砺。积善所钟。流芳不替。婉婉淑媛。柔顺且惠。如兰之秀。如玉之丽。俪体元储。符会神契。谓宜承家。而克永世。云何不禄。倐然长逝。二七来嫔。二八迺去。其闲相距。能有几许。一刹那顷。哀荣皆备。亦既为国。笃生继嗣。孰又挤之。奄忽至此。噫。要其贤德。人天一揆。帝岂有命。遽迫致耶。呜呼哀哉。行色不停。寿原渐迩。听嘶挽其齐扬。望摇旌其曷指。风凄切兮相哀音。烟惨澹兮增愁思。吁可言哉。从此邈矣。伊朕之痛如玆。元子之志何似。呜呼哀哉。
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1948年2月13日，另一位团队成员John N. Shive建造了一个点接触电晶体，在锗的细楔形物的正反两面都带有青铜触点，证明了电洞可以扩散到整个锗中，而不仅仅是沿表面扩散。Shive的发明激发了 Shockley发明了接面型电晶体。几个月后，他发明了一种全新的，坚固得多的新型电晶体，其层或层“三明治”结构。这种结构一直被用于1960年代的所有电晶体的绝大部分，并发展成为双极接面型电晶体。萧克利后来承认，该团队的工作是“合作与竞争的结合”。他还承认自己一直保密自己的工作，直到1948年希夫（Shive）的前进迫使他“亮明手牌”。萧克利对他所谓的“三明治”电晶体进行了相当完整的描述，并于1949年4月7日获得了第一份原理证明。
同时，萧克利研究了他的巨著《半导体中的电子和空穴》和在1952年编辑了《近乎完美晶体的缺陷》。书集包括萧克利关于漂移和扩散的批判性思想以及控制固态晶体中电子流动的微分方程。 还描述了萧克利的二极体方程。这项开创性的工作成为其他科学家的参考书，他们致力于开发和改进电晶体以及基于半导体的其他器件的新变体。
这导致了他发明"双极接面型电晶体”，该发明在1951年7月4日的新闻发布会上宣布。
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