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* CRO 马林·西里奇 → 被替代为 FIN 埃米尔·鲁苏沃里
* JPN 西冈良仁 → 被替代为 USA 马克西姆·克雷西
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三氟化氮在半导体及TFT-LCD制造的薄膜制程中扮演「清洁剂」的角色，不过这类清洁剂是气态，而非液态。
在半导体中，薄膜制程的主要设备是「化学气相沉积」（CVD）机台，会在晶圆片上长出薄膜。薄膜的成份有可能是矽、二氧化矽或其他金属材料，但这些材料不仅会附著在晶片上，也附著在反应室内的墙壁上，内墙上的二氧化矽累积至相当数量，就会在反应室内形成微尘粒子（Particle），影响晶圆片的良率。
因此每台CVD机台在处理过规定数量的晶圆片后，就要使用含氟的气体清洗，以去除内壁上的矽化物质。不过NF3与CF4、C2F6等气体都属于多氟碳化物，是造成温室效应的来源之一。半导体厂为了降低排气对温室效应的影响，在排放含氟废气前，会以高温（摄氏700、800度才进行）将气体由有机转分解为无机，才不会破坏臭氧层。
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