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在硅熔化前，可以向坩埚中添加硼、磷等材料，这样，拉制出的硅棒就具有与纯硅不同的电学性质。上述添加的材料被称为“杂质”，对应工艺过程被称为“掺杂”，得到的材料被称为“杂质半导体”。如果半导体材料不是硅，而是其他化合物（如砷化镓），同样可以使用直拉法来制备单晶材料。

通过上述直拉工艺制备的单晶硅是制造大积体电路的基础材料，被用于计算机、电视机、移动电话和其他各种电子设备中。

使用直拉法工艺制备单晶硅时，常用石英（主要成分为二氧化硅）坩埚作为器皿。这样做的一个不可避免的结果，就是器皿本身因为高温加热，将发生热分解，导致熔融状态硅中混入氧，其浓度的典型数量级为1018cm-3。氧杂质将带来一些好处。严格的退火工艺可以使氧沉淀下来。这些氧可以俘获半导体材料中不必要的过渡金属。除此之外，氧杂质还能够改善硅晶圆的机械强度，因为它能够固定制备流程中被引入的位错。1990年代，高浓度氧被发现能够在硅材料粒子探测器（例如欧洲核子研究组织中的大型强子对撞机项目）中用于辐射加固。因此，用这样的硅制成的辐射探测器，是将来进行高能粒子实验的理想设备。在后期的退火过程中，硅中的氧杂质也能俘获其他不必要的杂质。

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二十五年（1899年）正月，改署理镶白旗官学管学官。

二十六年（1900年）十一月，因八国联军之役善后，以编修协办翰林院事。十二月，充国史馆协修官。

二十七年（1901年）以编修充功臣馆纂修官、庶常馆提调，办理翰林院事。

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蜂须贺虎彻（平假名：はちすかこてつ），是日本江户时代长曾祢兴里虎彻所作的打刀。由于虎彻的名声在江户时代过于响亮，坊间的赝品之多，甚至有「只要看到虎彻的刀作，就得直接把它作赝品」的形容。但这把传至德岛藩蜂须贺家的打刀，是不折不扣的虎彻真迹。

大名所私藏的宝物，一般又称为「御家名物」，蜂须贺虎彻便是御家名物中的一把，包括柄头、刀铛、下绪结绳等，整把刀都统一为金色，是一把拥有豪华刀拵外装的名刀。

这把蜂须贺虎彻也以刀刃锋利为闻名，从其裁断铭便可见到试刀的记载。刀茎的金象嵌铭刻有「宽文武年乙巳霜月十一日弐ツ胴裁断山野加右卫门永久」，意思是1665年，曾用此刀一起斩断两具重叠的尸体。

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