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第七次十字军东征（1248年－1254年），由法国国王路易九世发动，教皇英诺森四世支持，远征埃及。

十字军在1249年登陆埃及，攻占位于开罗北方的杜姆亚特，但却陷入被瘟疫折磨的境况。熬过瘟疫后，十字军进攻开罗，但是被由将领拜巴尔率领的钦察奴隶骑兵（马穆路克）打败。结果，路易九世的弟弟阿图瓦伯爵罗贝尔一世被杀，路易九世于1250年4月在曼苏拉（Mansura）被俘。

1250年5月，当时的埃及苏丹被其马穆路克军官推翻，新统治者允许法国以大笔赎金赎回路易九世。路易九世获释后前往仍由十字军控制的阿卡，继续留在黎凡特，直到1254年才回国。

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天正15年6月19日（1587年7月24日），丰臣秀吉颁布了伴天连追放令，命令传教士离开日本。庆长元年（1596年）12月8日，サン＝フェリペ号事件爆发后，丰臣秀吉下令搜捕方济各会会士和信众，三木在两日后与ディエゴ喜斎等人受到牵连相继被捕。翌年1月3日，三木被带到京都，不但在堀川被割掉一边耳朵，更被载上牛车在洛中，翌日在大坂和堺再度游街示众后关进了堺的牢房。同年1月8日，丰臣秀吉下令在长崎对处以磔刑，翌日在冒著严寒且衣衫单薄兼赤脚的情况下开始出发步行往长崎，2月5日在长崎西坂之丘处以磔刑而殉教。

耶稣会众在三木死后随即禀报罗马教廷，展开了宣福运动。1627年9月14日，三木获教宗乌尔巴诺八世宣福，在其殉教265年后的1862年6月8日，庇护九世将与三木一同被处死的26人封圣，即日本二十六圣人，2月5日则视为「圣保禄·三木与同志殉教者」的瞻礼日，不过由于2月5日也是另一名圣人西西里的阿加莎的瞻礼日，因此按照年代先后，除了日本以外的教会都会延后一天至2月6日才作出纪念，日本的教会则获教廷的特别批准，能够在2月5日对三木进行纪念。三木死后曝尸达80日后，在得到关白的批准后运往了菲律宾等地，后来由Bernard Petitjean带回日本，并且安置于位于现在兵库县宝冢市仁川高台的ショファイユの幼きイエズス修道会，另外部分圣髑则在庆长15年（1610年）运往了澳门，后来于1963年由澳门教区将其运返长崎，马尼拉的圣依纳爵教会也在同年将其手腕的遗骨和遗物运返长崎，并且安置于日本二十六圣人纪念馆内。2019年11月24日，教宗方济各在访问日本期间于长崎西坂发表的演说中特别称赞了三木的牺牲。

* 天主教住吉教会（兵库县神户市东滩区住吉宫町）

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矽锗（Silicon-germanium，缩写为SiGe），是一种合金，依矽和锗的莫耳比可以表示成SixGe1-x。常被用作积体电路（IC）中的半导体材料，可做成异质结双极性晶体管或CMOS电晶体中的应变诱发层（strain-inducing layer）。IBM公司于1989年在工业生产中引入了硅锗合金相关技术，这一新技术使混合讯号积体电路和类比积体电路的设计与生产多了一项选择。

使用传统的矽半导体器件制造技术，即可在晶圆上形成SiGe。在CMOS制程方面，SiGe制程的成本和矽制程相当，但在异质接面技术方面，SiGe制程的成本比砷化镓制程还要低。近来，使用有机金属气相磊晶（MOVPE）沉积高纯度的含Ge薄膜、SiGe和应变矽时，会使用只有少量危害的液体来当做替代物，像有机锗化合物前体（如：异丁基锗烷、三氯锗烷、二甲氨基三氯锗烷）。

拥有SiGe制作服务的共有以下几家公司：国际商务机器（IBM）、意法半导体（STMicroelectronics）、台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）、飞思卡尔（Freescale，原本的摩托罗拉半导体部门）、索尼（Sony）、Atmel、Chartered Semiconductor Manufacturing、Micrel、英飞凌（Infineon）、德州仪器（TI）、IHP、Jazz Semiconductor，原本的胜讯（Conexant）。超微半导体（AMD）有意加入IBM的SiGe应变矽技术开发计划，让技术迈入65nm级规模。

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