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光登伯效应（英语：photo-Dember effect)，半导体受飞秒激光激发后，发出带电的电磁辐射，这是由于极快电子-空穴对在很强载流子梯度而造成的。同时，由于电子和空穴的迁移率不同，破坏了表面的对称性，半导体表面附近形成垂直表面的电偶极矩（正极在下，负极在上）。这种效应，称为光登伯效应。它是美国物理学家Harry Dember于1931年发现的。
光登伯效应的主要应用之一是用来产生太赫兹脉冲辐射或太赫兹时间范畴谱仪。大多数半导体都具有光登伯效应，但在狭带隙半导体，如InAs 和InSb ，它们具有较高的电子迁移率，而光登伯效应较强。
近来已有人能做出与激化面平行的极化面光登伯效应。
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该集中营于1945年4月15日被英国第十一装甲师解放。当时约有60,000名犯人尚在其中，绝大多数都已身患重病，另外还有13,000具未处理的尸体。〈由于二战末期纳粹陆续把欧洲各地集中营的犯人迁移到德国境内的集中营，导致各集中营极度拥挤，再加上当时斑疹伤寒极为严重，集中营内死亡人数增加迅速，党卫军来不及处理尸体，才导致尸体任意堆叠在营区内〉。BBC的随军记者理查德·丁布尔比（Richard Dimbleby）这样形容当时的景象：
英国准将Derek Mills-Roberts看到该集中营的惨状时相当生气，拿元帅杖殴打投降的德国空军元帅艾尔哈德·米尔希，元帅杖也被打断。
在贝尔根-贝尔森集中营里死去的15岁犹太女孩安妮·法兰克，她的日记成为二次大战期间纳粹消灭犹太人的最佳见证，日记中展现了惊人的勇气与毅力。
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