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刘文征，字懋学，云南云南右卫军籍山西大同府大同县人，明朝政治人物。

云南乡试第四名举人，万历十一年（1583年）癸未科进士。知四川新都县，万历二十三年（1595年）升广西梧州府知府。改任绍兴府知府，三十年九月升任山西副使兼右参议，复除贵州副使、威清兵备，四十年五月升四川右参政。四十四年二月升四川按察使，四十五年九月升陕西右布政使，不久致仕。天启元年（1621年）三月，起南京鸿胪寺卿。

曾祖刘桂；祖父刘昆，寿官；父刘体仁，曾任通判。母孟氏。慈侍下。兄德征（监生）、休征、祥征、信征（贡士）、顺征（知县）。弟宁征。

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安古斯都迷宫（Angustus Labyrinthus）是火星南海区位于南纬81.68度和西经63.25度附近一处河谷或山脊交错的区域。由于表面类似于一座废墟，美国宇航局科学家们将它戏称为“印加城”。与该地区的其他构造一样，“安古斯都”一词源于1930年欧仁·安东尼亚第对该地区反照率特征的命名。2006年，该名称被国际天文联合会正式采用。

安古斯都迷宫是由水手9号探测器所发现，它拍摄到一处看上去像一座古城废墟的小区域。水手9号研究团队将其命名为“印加城”。它看起来就像由两种不同风向形成的沙丘，但只是这些过于沙丘巨大。2002年，火星全球探勘者号上的相机发现，“印加城”是一座直径86公里大型圆形结构的一部分，因此，该形状意味着它可能是由小行星撞击造成，小行星撞击使地壳破裂。后来，岩浆沿着裂缝流动，在冷却后，形成坚硬、耐侵蚀的岩壁（岩脉）。陨石坑被覆盖，然后又被部分挖掘暴露。随着周围较松软材料的侵蚀，坚硬的岩壁被保留了下来。

高分辨率成像科学设备显示的安古斯都迷宫，亮斑为霜冻沉积物

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矽锗（Silicon-germanium，缩写为SiGe），是一种合金，依矽和锗的莫耳比可以表示成SixGe1-x。常被用作积体电路（IC）中的半导体材料，可做成异质结双极性晶体管或CMOS电晶体中的应变诱发层（strain-inducing layer）。IBM公司于1989年在工业生产中引入了硅锗合金相关技术，这一新技术使混合讯号积体电路和类比积体电路的设计与生产多了一项选择。

使用传统的矽半导体器件制造技术，即可在晶圆上形成SiGe。在CMOS制程方面，SiGe制程的成本和矽制程相当，但在异质接面技术方面，SiGe制程的成本比砷化镓制程还要低。近来，使用有机金属气相磊晶（MOVPE）沉积高纯度的含Ge薄膜、SiGe和应变矽时，会使用只有少量危害的液体来当做替代物，像有机锗化合物前体（如：异丁基锗烷、三氯锗烷、二甲氨基三氯锗烷）。

拥有SiGe制作服务的共有以下几家公司：国际商务机器（IBM）、意法半导体（STMicroelectronics）、台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）、飞思卡尔（Freescale，原本的摩托罗拉半导体部门）、索尼（Sony）、Atmel、Chartered Semiconductor Manufacturing、Micrel、英飞凌（Infineon）、德州仪器（TI）、IHP、Jazz Semiconductor，原本的胜讯（Conexant）。超微半导体（AMD）有意加入IBM的SiGe应变矽技术开发计划，让技术迈入65nm级规模。

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