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* Зміївська міська громада (市级，行政中心：兹米伊夫)
* Малинівська селищна громада (镇级，行政中心：马利尼夫卡)
* Новопокровська селищна громада (Харківська область) (镇级，行政中心：新波克罗夫卡)
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中统（八月十五日）是元世祖忽必烈第一个年号，共使用了5年。
* 庚申年——五月十九日，元世祖忽必烈有诏建元中统。
* 中统五年——八月十六日，元世祖忽必烈改元至元。
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光登伯效应（英语：photo-Dember effect)，半导体受飞秒激光激发后，发出带电的电磁辐射，这是由于极快电子-空穴对在很强载流子梯度而造成的。同时，由于电子和空穴的迁移率不同，破坏了表面的对称性，半导体表面附近形成垂直表面的电偶极矩（正极在下，负极在上）。这种效应，称为光登伯效应。它是美国物理学家Harry Dember于1931年发现的。
光登伯效应的主要应用之一是用来产生太赫兹脉冲辐射或太赫兹时间范畴谱仪。大多数半导体都具有光登伯效应，但在狭带隙半导体，如InAs 和InSb ，它们具有较高的电子迁移率，而光登伯效应较强。
近来已有人能做出与激化面平行的极化面光登伯效应。
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