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勒高夫(Jacques Le Goff)，他发表《炼狱的诞生》(La naissance du purgatoire)，探讨人们对死后世界呈现的变迁史，勒高夫相信炼狱观念的兴起是构成封建基督教转化原因，另外他也发表关于心态史的专书《心态史：一个模糊不清的历史》(Mentalités: une histoire d'ambiguités) ，指出心态史的集体特征，即一种历史心态的产生是一个同时代的人所共有的，而非个体的内容。
* 《中世纪的知识分子》，北京：商务印书馆（ISBN 9787100018463）
* 《圣路易》，北京：商务印书馆（ISBN 9787100034647）
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和鄂尔勒克，17世纪是西蒙古（厄鲁特）土尔扈特部首领。
当时，沙皇俄国向中亚地区扩张。和鄂尔勒克在1607年到1609年，多次击败俄国人的入侵。之后，准噶尔部首领巴图尔珲台吉在天山北路扩张势力，想一统四厄鲁特。和鄂尔勒克于1628年被迫西迁，在1630年在中亚建牙。1640年，和鄂尔勒克返回天山北路参加制定《厄鲁特法典》。1643年，和鄂尔勒克与俄国人作战时，重炮身亡。另一说法是与诺盖人作战中死亡。
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CMP技术早期主要应用于光学镜片的抛光和晶圆的抛光。
20世纪70年代，多层金属化技术被引入到集成电路制造工艺中，此技术使芯片的垂直空间得到有效的利用，并提高了器件的集成度。但这项技术使得硅片表面不平整度加剧，由此引发的一系列问题（如引起光刻胶厚度不均进而导致光刻受限）严重影响了大规模集成电路（LSI）的发展。针对这一问题，业界先后开发了多种平坦化技术，主要有反刻、玻璃回流、旋涂膜层等，但效果并不理想。80年代末，IBM公司将CMP技术进行了发展使之应用于硅片的平坦化，其在表面平坦化上的效果较传统的平坦化技术有了极大的改善，从而使之成为了大规模集成电路制造中有关键地位的平坦化技术。
化学机械平坦化是表面全局平坦化技术中的一种，既可以认为是化学增强型机械抛光也可以认为是机械增强型湿法化学刻蚀。该工艺使用具有研磨性和腐蚀性的磨料，并配合使用抛光垫和支撑环。抛光垫的尺寸通常比硅片要大。抛光垫和硅片被一个可活动的抛光头压在一起，而塑料的支撑环则用于保持硅片的位置。硅片和抛光垫同时转动（通常是以相反的方向转），但是它们的中心并不重合。在这个过程中硅片表面的材料和不规则结构都被除去，从而达到平坦化的目的。平面化后的硅片表面使得干式刻蚀中的图样的成型更加容易。平滑的硅片表面还使得使用更小的金属图样成为可能，从而能够提高集成度。
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