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更新于 2026-10-07

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钮琇,字玉樵,一字书诚,斋名临野堂,江苏吴江县南麻镇(今江苏省吴江市县盛泽)人。清代文学家、官员。

顺治元年(1644年)出身于一个书香家庭,父钮宏儒。康熙十一年(1672年)壬子拔贡生。师从徐元文。康熙十九年,任河南项城县知县。康熙二十四年丁忧,上司欲夺情,不许。三年后改任陕西白水县知县。后官广东高明县知县。为官清廉,捐俸添置牛、种、耕具等,劝百姓复业,颇有政声。康熙四十三年(1704年)病卒于高明县县令任上。孑然一身,数年后方得归葬。高明人祀之于名宦祠。

钮琇“博雅,工诗文,簿书之闲,不废笔墨”。康熙三十九年(1700年)完成笔记小说《觚賸》正编,另著《觚賸续编》等;《觚賸》一书,记述明末清初杂事,可补正史之阙,《四库全书总目提要》称《觚賸》为文“幽艳凄动,有唐人小说之遗。”又著《临野堂集》13卷、《文集》10卷、《诗余》2卷、《白水县志》14卷。《虞初新志》选录其作品。

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高纯度的半导体级多晶硅在一个坩埚(通常是由石英制成)中被加热至熔融状态。诸如硼原子和磷原子的杂质原子可以精确定量地被掺入熔融的硅中,这样就可以使硅变为P型或N型硅。这个掺杂过程将改变硅的电学性质。将晶种(或称“籽晶”)置于一根精确定向的棒的末端,并使末端浸入熔融状态的硅。然后,将棒缓慢地向上提拉,同时进行旋转。如果对棒的温度梯度、提拉速率、旋转速率进行精确控制,那么就可以在棒的末端得到一根较大的、圆柱体状的单晶晶锭。通过研究晶体生长中温度、速度的影响,可以尽量避免不必要的结果。上述过程通常在惰性气体(例如氩)氛围中进行,并采用坩埚这种由较稳定的化学材料制成的反应室。

为了提高半导体工业的生产效率,常常按一定标准规格来生产晶圆。早期的晶棒较小,直径通常只有几英寸。随着技术的进步,高端的制造一起开始使用200毫米甚至300毫米直径的晶圆。要准确地制造这样尺寸的晶圆,必须严格控制工作温度、旋转速度以及晶种棒的提拉速度。用于切割成晶圆的晶锭长达2米,重达几百千克。更大的晶圆可以进一步提升制造效率,这是因为利用单个晶圆能够制造出更多的芯片。这也是人们不断尝试增大硅晶圆尺寸的原因。现在,半导体工业界正在挑战450毫米级别的晶圆,计划在2012年投产。硅晶圆的典型厚度在0.2至0.75毫米之间,通过抛光技术可以使表面更加平滑,这样更适合制造积体电路。此外,通过刻出特定的纹路,晶圆还可以用来制造太阳能电池。

在柴氏法中,工作腔(坩埚)被加热到大约1500摄氏度,这将使硅(熔点:1414摄氏度)熔化。当硅完全熔化时,末端装有晶种的棒被缓慢地下放到熔融状态的硅中。棒以逆时针方向旋转,坩埚以顺时针方向旋转。随后,旋转的棒被极慢地向上提升,这样,近似圆柱体状的硅晶棒就能在下方形成。通过继续提拉,晶棒的长度可以达到1至2米,这取决于坩埚中熔融状态硅的数量。

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