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全书采用家谱与年表相结合的形式，将中国自三皇五帝至伪满洲国的君主王朝的世系皇族以史表形式列出。每表都注明公元纪年。是作者为自己编写的《中国人史纲》、《柏杨版资治通鉴》所作的工具书。本书为研究中国古代和近代历史提供了方便。本书包括序表（历代王朝关系位置表、历代王朝国号表、历代帝王数表、历代立国年数表、历代帝王籍贯表、历代建都表、建都分布表）、帝王篇、皇位世系篇、皇后篇、亲王篇、公主篇、草莽帝王表、历代年号表，统计出中国历史83个王朝（政权）、559位帝王。
* 魏（北魏帝国）（后魏）（元魏）（南北朝）
* 汉（南汉帝国）（越汉）（五代十一国）
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使用传统的矽半导体器件制造技术，即可在晶圆上形成SiGe。在CMOS制程方面，SiGe制程的成本和矽制程相当，但在异质接面技术方面，SiGe制程的成本比砷化镓制程还要低。近来，使用有机金属气相磊晶 （MOVPE）沉积高纯度的含Ge薄膜、SiGe和应变矽时，会使用只有少量危害的液体来当做替代物，像有机锗化合物前体（如：异丁基锗烷、三氯锗烷、二甲氨基三氯锗烷）。
拥有SiGe制作服务的共有以下几家公司：国际商务机器（IBM）、意法半导体（STMicroelectronics）、台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）、飞思卡尔（Freescale，原本的摩托罗拉半导体部门）、索尼（Sony）、Atmel、Chartered Semiconductor Manufacturing、Micrel、英飞凌（Infineon）、德州仪器（TI）、IHP、Jazz Semiconductor，原本的胜讯（Conexant）。超微半导体（AMD）有意加入IBM的SiGe应变矽技术开发计划，让技术迈入65nm级规模。
2015年七月，IBM公司宣布通过SiGe工艺制成了7 nanometer级晶体管，有望使晶体管的产量上升三倍。
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