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伊克坦,瓜尔佳氏,字仲平,满洲正白旗人,清朝末年政治人物,繙译进士。
光绪八年,乡试第二名中繙译举人。光绪九年,覆试考列三等,准一体会试。光绪十二年,登第二名繙译进士,授翰林院庶吉士,后升翰林院编修。光绪十九年,任右中允、翰林院侍讲。光绪二十六年,任左庶子。光绪二十七年,授翰林院侍读学士。光绪三十年,授繙译会试副考官。光绪三十一年,任光禄寺卿。光绪三十二年,任都察院副都御史。宣统三年,任毓庆宫行走,为溥仪帝师,教习满文,后任正蓝旗汉军副都统。宣统十四年八月初六日(1922年9月26日)卒,谥文直,派贝子溥伒往奠,赏陀罗经被,赏银三千圆治丧,赠少保。
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为了提高半导体工业的生产效率,常常按一定标准规格来生产晶圆。早期的晶棒较小,直径通常只有几英寸。随着技术的进步,高端的制造一起开始使用200毫米甚至300毫米直径的晶圆。要准确地制造这样尺寸的晶圆,必须严格控制工作温度、旋转速度以及晶种棒的提拉速度。用于切割成晶圆的晶锭长达2米,重达几百千克。更大的晶圆可以进一步提升制造效率,这是因为利用单个晶圆能够制造出更多的芯片。这也是人们不断尝试增大硅晶圆尺寸的原因。现在,半导体工业界正在挑战450毫米级别的晶圆,计划在2012年投产。硅晶圆的典型厚度在0.2至0.75毫米之间,通过抛光技术可以使表面更加平滑,这样更适合制造积体电路。此外,通过刻出特定的纹路,晶圆还可以用来制造太阳能电池。
在柴氏法中,工作腔(坩埚)被加热到大约1500摄氏度,这将使硅(熔点:1414摄氏度)熔化。当硅完全熔化时,末端装有晶种的棒被缓慢地下放到熔融状态的硅中。棒以逆时针方向旋转,坩埚以顺时针方向旋转。随后,旋转的棒被极慢地向上提升,这样,近似圆柱体状的硅晶棒就能在下方形成。通过继续提拉,晶棒的长度可以达到1至2米,这取决于坩埚中熔融状态硅的数量。
在硅熔化前,可以向坩埚中添加硼、磷等材料,这样,拉制出的硅棒就具有与纯硅不同的电学性质。上述添加的材料被称为“杂质”,对应工艺过程被称为“掺杂”,得到的材料被称为“杂质半导体”。如果半导体材料不是硅,而是其他化合物(如砷化镓),同样可以使用直拉法来制备单晶材料。
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* 忽必烈命刘秉忠在开平(今中国内蒙古自治区锡林郭勒盟正蓝旗多伦县西北闪电河畔)建立王府。
* 阿萨辛派被旭烈兀率领的西侵蒙古大军夷灭,木剌夷国全部被旭烈兀占领。。
* 威尼斯共和国与热那亚共和国为了争夺利凡特的商业特权,引发圣萨巴斯战争(1256年-1270年)。
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