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漕河发源于河北省保定市易县的五回岭东麓，至管头村东汇南河来水，向东南流逐渐转向东北，于团山村东入易县与满城县交界处的龙门水库，全长110公里，流域总面积891平方公里，河床宽度：上游约300米，下游约200米左右，漕河为一山区平原混合型河道，坡度上陡下缓，龙门水库至方上村段坡降为1/400，方上村以下渐变至1/500——1/10000神星村以上多砂砾河床，以下多沙质河床，多年平均径流量0.86亿立方米，百年一遇（龙门水库，1963年）洪峰流量为3830 立方米/秒。
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* 1955年 睦学园女子短期大学成立并同时设置两个学科即保育科第二部。
* 1966年 改校名为兵库女子短期大学、三个学科成立
* 设计科：改名为设计美术学科于1978年
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三氟化氮在半导体及TFT-LCD制造的薄膜制程中扮演「清洁剂」的角色，不过这类清洁剂是气态，而非液态。
在半导体中，薄膜制程的主要设备是「化学气相沉积」（CVD）机台，会在晶圆片上长出薄膜。薄膜的成份有可能是矽、二氧化矽或其他金属材料，但这些材料不仅会附著在晶片上，也附著在反应室内的墙壁上，内墙上的二氧化矽累积至相当数量，就会在反应室内形成微尘粒子（Particle），影响晶圆片的良率。
因此每台CVD机台在处理过规定数量的晶圆片后，就要使用含氟的气体清洗，以去除内壁上的矽化物质。不过NF3与CF4、C2F6等气体都属于多氟碳化物，是造成温室效应的来源之一。半导体厂为了降低排气对温室效应的影响，在排放含氟废气前，会以高温（摄氏700、800度才进行）将气体由有机转分解为无机，才不会破坏臭氧层。
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